Глосарій

A Б B Г Д Е Є З І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Я
A B C D E F G H I J L M N O P Q R S T V W

Загальний струм колектор-емітер фототранзистору
Загальний струм колектор-база фототранзистору
Загальний струм фотоелектричного напівпровідникового приймача
Загальний тиск газу-наповнювача газового іонізаційного детектору
Задній фокальний відрізок
Задній фокус
Задня головна площина
Задня фокусна відстань
Закон Снела (Снеліуса)
Заломлюючий кут
Заряд сигналу
Зарядове коливання
Зарядовий пакет
Зчитування
Збудження
Зворотна напруга максимальна (VR max)
Зворотна перехідна нормована характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача
Здатність фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення
Зміщення T
Зсув зображення ЕОП

Загальний струм колектор-емітер фототранзистору

Загальний струм колектор-емітер фототранзистору / Collector-emitter total current of a phototransistor
Загальний струм колектор-емітер, що протікає через фототранзистор при дії на нього потоку випромінювання з заданим спектральним розподілом

Загальний струм колектор-база фототранзистору

Загальний струм колектор-база фототранзистору / Collector-base total current of a phototransistor
Загальний струм колектор-база, що протікає через фототранзистор при дії на нього потоку випромінювання з заданим спектральним розподілом

Загальний струм фотоелектричного напівпровідникового приймача

Загальний струм фотоелектричного напівпровідникового приймача - загальний струм ФЕНП / Total current
Струм ФЕНП, що складається з темнового струму і фотоструму

Загальний тиск газу-наповнювача газового іонізаційного детектору

Загальний тиск газу-наповнювача газового іонізаційного детектору / Filling gas total pressure of gas ionization detector
Сума парціальних давленій газів всередині газового іонізаційного детектору.

Задній фокальний відрізок

Задній фокальний відрізок / Back Focal Distance (BFD)
Відстань від вершини задньої поверхні до заднього фокусу.

Задній фокус

Задній фокус / Back Focus
Точка на оптичній оси у просторі зображень, пов’язана з нескінченно віддаленою точкою, що розташована на оптичній осі у просторі предметів.

Задня головна площина

Задня головна площина / Back Principal Plane
Площина у просторі зображень, пов’язана з площиною у просторі предметів, для якої лінійне збільшення рівно +1.

Задня фокусна відстань

Задня фокусна відстань / Back Focal Length (BFL)
Відстань від задньої головної точки до заднього фокусу.

Закон Снела (Снеліуса)

Закон Снела (Снеліуса) / Snell’s law

Світло, що проходить через межу між двома середовищами (наприклад, повітрям і склом) з різними показниками заломлення, змінює напрямок свого руху, тобто заломлюється. Закон Снела описує взаємозв'язок між кутом падіння світла q (кутом між площиною межі розділу і падаючим променем) в межі розділу і кутом заломлення q' (кут між площиною межі розділу і заломленим променем). Він виражається наступним рівнянням.

n sin q = n’ sin q’
n: показник заломлення середовища на стороні падіння променів
n’: показник заломлення середовища на рефракційній стороні

Заломлюючий кут

Заломлюючий кут / Prism Angle
Кут між двома непаралельними заломлюючими площинами призми або клину.
Примітка: кут вимірюють у площині, перпендикулярній ребру двогранного кута між непаралельними заломлюючими площинами.

Заряд сигналу

Заряд сигналу / Signal charge
Кількість електричного заряду, яка відповідає сигналу.

Зарядове коливання

Зарядове коливання / Clock dithering
Метод зменшення темнового струму фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком шляхом періодичної зміни напруг на затворах переносу.

Зарядовий пакет

Зарядовий пакет / Charge packet
Частина загального заряду, яка переноситься з однієї потенціальної ями у наступну.

Зчитування

Зчитування / Readout
Перетворення зарядових пакетів в електричні імпульси вихідного сигналу.

Збудження

Збудження / Excitation
У напівпровідниках збудження відноситься до процесу переходу електронів з низькоенергетичної валентної зони до зони провідності вищої енергії. Якщо електрони збуджуються теплом, цей процес називається тепловим збудженням. Якщо електрони збуджуються світлом, то цей процес називається фотозбудженням і відбувається, коли світло поглинається фотодіодом.

Зворотна напруга максимальна (VR max)

Зворотна напруга максимальна (VR max) / Reverse voltage max. (V_R max)
При підключенні до пристрою зворотної напруги при певному значенні цієї напруги відбувається пробій, який призводить до серйозного погіршення роботи пристрою. Тому абсолютна максимальна величина для зворотної напруги визначається як напруга, дещо нижча, ніж напруга пробою. Зворотна напруга не повинна перевищувати максимальну норму, навіть короткочасно.

Зворотна перехідна нормована характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача

Зворотна перехідна нормована характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача / Normalized inverse transfer characteristic
Відношення фотоструму, що описує реакцію фотоелектричного напівпровідникового приймача в залежності від часу, до початкового значення фотоструму при різкому припиненні дії випромінювання.
Примітка: потік випромінювання при різкому припиненні дії описується виразом

Здатність фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення

Здатність фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення / Detectivity
Величина, зворотна порогу чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача

Зміщення T

Зміщення T / Bias T
Схема, що використовується для подачі зміщення постійного струму до пристрою. Ця схема здатна подавати зміщення постійного струму при збереженні відповідності імпедансу і тому є необхідною при використанні високошвидкісного пристрою.

Зсув зображення ЕОП

Зсув зображення ЕОП / Image Drift - Image Intensifier
Самочинне переміщення в часі зображення на виході електронно-оптичного перетворювача при нерухомому зображенні на вході.