Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
28 Серпня 2025
Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X
25 Липня 2025
Нові камери Kurokesu на базі IMX462
Глосарій
Імпульс газового іонізаційного детектору
Імпульсна характеристика фотопомножувача (фотоелементу)
Іммерсійний елемент фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Іммерсійний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання
Інвертований режим
Інвертуюча електростатична фокусуюча система ЕОП
Інжекційний фотодіод
Інтегральна чутливість
Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку
Інтегральна чутливість до потоку випромінювання
Інтегруюча ємність
Інфрачервоний фотоприймач з обмеженим рівнем фонового шуму
Іонна пляма у полі зору ЕОП
Імпульсна характеристика фотопомножувача (фотоелементу)
Іммерсійний елемент фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Іммерсійний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання
Інвертований режим
Інвертуюча електростатична фокусуюча система ЕОП
Інжекційний фотодіод
Інтегральна чутливість
Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку
Інтегральна чутливість до потоку випромінювання
Інтегруюча ємність
Інфрачервоний фотоприймач з обмеженим рівнем фонового шуму
Іонна пляма у полі зору ЕОП
Імпульс газового іонізаційного детектору
Імпульс газового іонізаційного детектору / Gas ionization detector pulse
Короткочасна зміна електричного сигналу, що виникла у результаті проходження через газовий іонізаційний детектор іонізуючої частинки або одночасно кількох частинок.
Імпульс газового іонізаційного детектору / Gas ionization detector pulse
Короткочасна зміна електричного сигналу, що виникла у результаті проходження через газовий іонізаційний детектор іонізуючої частинки або одночасно кількох частинок.
Імпульсна характеристика фотопомножувача (фотоелементу)
Імпульсна характеристика фотопомножувача (фотоелементу) / Pulse response of photomultiplier (photocell)
Реакція фотопомножувача (фотоелементу) у вигляді зміни струму аноду на дію дельта-імпульсу випромінювання.
Імпульсна характеристика фотопомножувача (фотоелементу) / Pulse response of photomultiplier (photocell)
Реакція фотопомножувача (фотоелементу) у вигляді зміни струму аноду на дію дельта-імпульсу випромінювання.
Іммерсійний елемент фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Іммерсійний елемент фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання - Іммерсійний елемент ФЕНП / Detector optical immersion element
Оптичний елемент, що знаходиться в оптичному контакті з фоточутливим елементом фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання и слугує для концентрації потоку випромінювання
Іммерсійний елемент фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання - Іммерсійний елемент ФЕНП / Detector optical immersion element
Оптичний елемент, що знаходиться в оптичному контакті з фоточутливим елементом фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання и слугує для концентрації потоку випромінювання
Іммерсійний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання
Іммерсійний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання - Іммерсійний ФЕНП / Immersed detector
Фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, що має іммерсійний сигнал
Іммерсійний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання - Іммерсійний ФЕНП / Immersed detector
Фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, що має іммерсійний сигнал
Інвертований режим
Інвертований режим / IMO - inverted mode operation (MPP)
Режим роботи фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком, у якому значення напруги на затворі накоплення змінено на зворотне, що зменшує темновий струм.
Інвертований режим / IMO - inverted mode operation (MPP)
Режим роботи фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком, у якому значення напруги на затворі накоплення змінено на зворотне, що зменшує темновий струм.
Інвертуюча електростатична фокусуюча система ЕОП
Інвертуюча електростатична фокусуюча система ЕОП / Inverter Electrostatically Focused System - Image Intensifier
Сукупність електродів електронно-оптичного перетворювача, що здійснює в аксіально-симетричному електричному полі прискорення, інвертування і фокусування електронного зображення.
Інвертуюча електростатична фокусуюча система ЕОП / Inverter Electrostatically Focused System - Image Intensifier
Сукупність електродів електронно-оптичного перетворювача, що здійснює в аксіально-симетричному електричному полі прискорення, інвертування і фокусування електронного зображення.
Інжекційний фотодіод
Інжекційний фотодіод / Injection photodiode
Фотодіод, що працює у режимі внутрішнього підсилення фотосигналу за рахунок інжекції вільних носіїв заряду
Інжекційний фотодіод / Injection photodiode
Фотодіод, що працює у режимі внутрішнього підсилення фотосигналу за рахунок інжекції вільних носіїв заряду
Інтегральна чутливість
Інтегральна чутливість / Integral sensitivity
Відношення зміни вихідного сигналу фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком до зміни освітленості, енергетичної освітленості, світлової експозиції або енергетичної експозиції, що викликали його, у заданому спектральному діапазоні.
Інтегральна чутливість / Integral sensitivity
Відношення зміни вихідного сигналу фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком до зміни освітленості, енергетичної освітленості, світлової експозиції або енергетичної експозиції, що викликали його, у заданому спектральному діапазоні.
Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку
Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку / Cathode luminous sensitivity
Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку - це фотоелектричний струм, який генерується фотокатодом під дією падаючого на нього світлового потоку (від 10-5 до 10-2 люмен) від лампи з вольфрамовою ниткою, що випромінює світло з колірною температурою 2856 K. Інтегральна чутливість катоду і аноду до світлового потоку особливо корисна при порівнянні електронних ламп, що мають однакову або подібну спектральну характеристику. Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку виражається в мкА/лм (мікроампери на люмен). Зауважимо, що люмен є одиницею, яка використовується для світлового потоку у видимій області, і тому ці значення можуть бути не актуальними для електронних ламп, що є чутливими за межами видимого спектру світла.
Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку / Cathode luminous sensitivity
Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку - це фотоелектричний струм, який генерується фотокатодом під дією падаючого на нього світлового потоку (від 10-5 до 10-2 люмен) від лампи з вольфрамовою ниткою, що випромінює світло з колірною температурою 2856 K. Інтегральна чутливість катоду і аноду до світлового потоку особливо корисна при порівнянні електронних ламп, що мають однакову або подібну спектральну характеристику. Інтегральна чутливість катоду до світлового потоку виражається в мкА/лм (мікроампери на люмен). Зауважимо, що люмен є одиницею, яка використовується для світлового потоку у видимій області, і тому ці значення можуть бути не актуальними для електронних ламп, що є чутливими за межами видимого спектру світла.
Інтегральна чутливість до потоку випромінювання
Інтегральна чутливість до потоку випромінювання / Cathode radiant sensitivity
Інтегральна чутливість катоду до потоку випромінювання - це фотоелектричний струм від фотокатода, поділений на падаючу потужність випромінювання на заданій довжині хвилі, виражений в А/Вт (ампер на ват). Квантова ефективність (QE) - це кількість фотоелектронів, що випромінюються фотокатодом, поділена на кількість падаючих фотонів. Квантова ефективність зазвичай виражається у відсотках. Квантова ефективність і інтегральна чутливість катоду до потоку випромінювання на заданій довжині хвилі співвідносяться згідно рівнянню:

Інтегральна чутливість до потоку випромінювання / Cathode radiant sensitivity
Інтегральна чутливість катоду до потоку випромінювання - це фотоелектричний струм від фотокатода, поділений на падаючу потужність випромінювання на заданій довжині хвилі, виражений в А/Вт (ампер на ват). Квантова ефективність (QE) - це кількість фотоелектронів, що випромінюються фотокатодом, поділена на кількість падаючих фотонів. Квантова ефективність зазвичай виражається у відсотках. Квантова ефективність і інтегральна чутливість катоду до потоку випромінювання на заданій довжині хвилі співвідносяться згідно рівнянню:

Інтегруюча ємність
Інтегруюча ємність / Integration capacitance
Оскільки обробка сигналів з лінійних n-канальних метал-оксид-напівпровідникових (NMOS) датчиків зображення зі струмовим виходом досить складна, їх вихідний сигнал перетворюється на вихідну напругу з низьким рівнем шуму. Так його легше обробляти використовуючи схему інвертуючого операційного підсилювача з доданою ємністю зворотного зв'язку (Cf). Ця ємність зворотного зв'язку називається інтегруючою ємністю. Періодичний розряд інтегруючої ємності забезпечує вихідну напругу (V = Q / Cf) пропорційну електричному заряду (Q). Чим менша інтегруюча ємність, тим більшою буде вихідна напруга.
Інтегруюча ємність / Integration capacitance
Оскільки обробка сигналів з лінійних n-канальних метал-оксид-напівпровідникових (NMOS) датчиків зображення зі струмовим виходом досить складна, їх вихідний сигнал перетворюється на вихідну напругу з низьким рівнем шуму. Так його легше обробляти використовуючи схему інвертуючого операційного підсилювача з доданою ємністю зворотного зв'язку (Cf). Ця ємність зворотного зв'язку називається інтегруючою ємністю. Періодичний розряд інтегруючої ємності забезпечує вихідну напругу (V = Q / Cf) пропорційну електричному заряду (Q). Чим менша інтегруюча ємність, тим більшою буде вихідна напруга.
Інфрачервоний фотоприймач з обмеженим рівнем фонового шуму
Інфрачервоний фотоприймач з обмеженим рівнем фонового шуму / Background Limited Infrared Photodetector (BLIP)
Це детектор у якого фотострум перевищує темновий. Як правило, для таких детекторів вказується максимальна температура сенсора (без охолодження), при якій темновий шум нижче рівня фотосигналу.
Інфрачервоний фотоприймач з обмеженим рівнем фонового шуму / Background Limited Infrared Photodetector (BLIP)
Це детектор у якого фотострум перевищує темновий. Як правило, для таких детекторів вказується максимальна температура сенсора (без охолодження), при якій темновий шум нижче рівня фотосигналу.
























































