Новини

Всі новини

28 Серпня 2025

Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X

25 Липня 2025

Нові камери Kurokesu на базі IMX462

18 Червня 2025

Sheaumann Laser представляє нову серію лазерних діодів 15XX нм

Cтатті

Всі статті

Плазмонний біосенсор, реалізований завдяки резонансному квантовому тунелюванню електронів

Високошвидкісна 3D-візуалізація

Квантові голограми на основі метаповерхонь з гібридним заплутуванням

Головна-Про компанію-Глосарій-Ч

Глосарій

A Б B Г Д Е Є З І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Я
A B C D E F G H I J L M N O P Q R S T V W

Час автономної роботи охолоджуваного фотоелектричного напівпровідникового приймача

Час автономної роботи охолоджуваного фотоелектричного напівпровідникового приймача / Independent operating time
Інтервал часу з моменту відключення системи охолодження або термостабілізації до моменту, коли параметри фотоелектричного напівпровідникового приймача, що охолоджується, змінюються до заданого допустимого рівня

Час виходу на режим охолоджуваного фотоелектричного напівпровідникового приймача

Час виходу на режим охолоджуваного фотоелектричного напівпровідникового приймача / Cooldown time
Інтервал часу з моменту включення системи охолодження або термостабілізації до моменту, коли параметри фотоелектричного напівпровідникового приймача, що охолоджується, досягають заданого рівня

Час відгуку

Час відгуку / Response time
Час, що необхідний для встановлення сигналу на виході, який відповідає вхідній дії. Вимірюється у мілісекундах.

Час встановлення перехідної нормованої характеристики фотоелектричного напівпровідникового приймача по рівню k

Час встановлення перехідної нормованої характеристики фотоелектричного напівпровідникового приймача по рівню k - час встановлення / Set-up time of the normalized transfer characteristic
Мінімальний час від початку впливу імпульсу випромінювання, після закінчення якого максимальне відхилення нормованої перехідної характеристики h0(t) від значення, що встановилося, не перевищує k:

Час готовності фотопомножувача (фотоелементу)

Час готовності фотопомножувача (фотоелементу) / Readiness time of photomultiplier (photocell)
Інтервал часу між моментом подачі напруги живлення і моментом, починаючи з якого значення струму анода фотопомножувача (фотоелементу) відрізняється від значення, що встановилося не більше ніж на ±20 %.

Час затримки розповсюдження

Час затримки розповсюдження / Propagation delay time
Час, необхідний для передачі сигналу від точки передачі або вхідної точки до точки прийому або вихідної точки. Цей термін в цілому вказує загальний час затримки в ланцюзі і оптичних елементах і час затримки в середовищі (наприклад, оптичному волокні). Час затримки розповсюдження, що змінюється, називається джиттером або блуканням. Джиттер - це коливання часу затримки розповсюдження, яке відбувається за короткий проміжок часу і в основному є результатом шуму. Блукання - це довготривале коливання, головним чином викликане тепловими факторами.

Час інтеграції

Час інтеграції / Integration time
При роботі датчика зображення, електричний заряд, який генерується світлом, що надходить певний час, збирається і накопичується для створення сигналу. Тривалість часу, протягом якого світло надходить у датчик зображення, називається часом інтеграції або часом накопичення. Цей час становить, як правило, мілісекунди (мс), але може досягати навіть кількох годин для датчиків зображення з охолодженням. У датчиках зображення з функцією затвору час інтеграції може становити мікросекунди (мкс).

Час наростання імпульсної характеристики фотопомножувача (фотоелементу)

Час наростання імпульсної характеристики фотопомножувача (фотоелементу) / Rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
Інтервал часу, протягом якого імпульсна характеристика фотопомножувача (фотоелементу) наростає у межах рівнів від 0,1 до 0,9 від свого максимального значення.

Час наростання фотоелектричного напівпровідникового приймача

Час наростання фотоелектричного напівпровідникового приймача - час наростання / Rise time of the normalized transfer characteristic
Мінімальний інтервал часу між точками перехідної нормованої характеристики фотоелектричного напівпровідникового приймача зі значеннями 0,1 і 0,9 відповідно

Час наростання перехідної характеристики фотопомножувача (фотоелементу)

Час наростання перехідної характеристики фотопомножувача (фотоелементу) / Rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
Інтервал часу, протягом якого перехідна характеристика фотопомножувача (фотоелементу) наростає у межах рівнів від 0,1 до 0,9 від значення, яке вона приймає після закінчення перехідного процесу.

Час наростання

Час наростання / Rise time
Час наростання - це час, необхідний для збільшення виходу з 10 % до 90 % максимального вихідного значення (стаціонарне значення) у відповідь на вплив ступінчатою функцією світла.

Час післясвітіння ЕОП

Час післясвітіння ЕОП / Time of Decay - Image Intensifier
Інтервал часу після припинення освітлення входу електронно-оптичного перетворювача, протягом якого яскравість на виході знизиться до заданого значення.

Час прольоту

Час прольоту / Transit time
Час прольоту електронів - це часовий інтервал між приходом світлового дельтаподібного імпульсу (ширина імпульсу менше 50 пс) на фотокатод і моментом, коли вихідний імпульс на аноді досягає своєї пікової амплітуди.

Час проходження сигналу в фотопомножувачі

Час проходження сигналу в фотопомножувачі / Signal transition time in photomultiplier
Інтервал часу між моментом надходження імпульсу випромінювання на фотокатод і моментом появи сигналу у колі аноду фотопомножувача.

Час спаду фотоелектричного напівпровідникового приймача

Час спаду фотоелектричного напівпровідникового приймача - час спаду / Decay time of the normalized inverse transfer characteristic
Мінімальний інтервал часу між точками зворотної перехідної нормованої характеристики фотоелектричного напівпровідникового приймача зі значеннями 0,1 и 0,9 відповідно

Часова затримка накопичення

Часова затримка накопичення (ЧЗН) / Time Delay Integration (TDI)
Режим роботи фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком, при якому швидкість переміщення заряду по рядкам синхронізується з швидкістю рухомого об'єкту. Заряд усіх стовпців підсумовується.

Часовий дрейф нульової точки координатного фотодіоду

Часовий дрейф нульової точки координатного фотодіоду / Zero drift
Зміщення нульової точки координатного фотодіоду при постійній температурі протягом заданого інтервалу часу

Часово-амплітудний перетворювач (TAC)

Часово-амплітудний перетворювач / TAC (time-to-amplitude converter)
Прилад, який виводить різницю в часі між двома імпульсними сигналами у вигляді амплітуди (висоти) імпульсу.

Часопролітна технологія

Часопролітна технологія / Time of Flight (ToF)
Технологія отримання тримірного зображення, за допомогою вимірювання часу прольоту лазерного імпульсу до об'єкту і назад.

Частота зрізу

Частота зрізу / Cutoff frequency
Частота, при якій вихідний сигнал пристрою зменшується на 3 дБ від значення постійного вихідного сигналу на більш низьких частотах. Співвідношення між частотою зрізу (fc) і часом наростання (tr) приблизно виражається приведеним нижче рівнянням.
cutoff frequency.png

Частотна характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення

Частотна характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення / Specific detectivity frequency dependence
Залежність питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення від частоти модуляції потоку випромінювання

Частотна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача

Частотна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача / Frequency response characteristic
Залежність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача від частоти модуляції потоку випромінювання

Червоно-біле відношення - Фотоелектронний помножувач

Червоно-біле відношення - Фотоелектронний помножувач / Red/white ratio - Photomultiplier tube
Червоно-біле відношення використовується для порівняння чутливості фотоелектронних помножувачів, що мають діапазон спектральної чутливості, який поширюється на ближню інфрачервону область. Як і індекс чутливості в синій області спектру, червоно-біле відношення визначається тією ж системою вимірювання, що використовується для вимірювання інтегральної чутливості катода до світлового потоку, але з встановленим фільтром від червоного видимого до інфрачервоного. Червоно-біле відношення визначається як відношення чутливості катода, виміряної з фільтром від червоного видимого до інфрачервоного спектру, до чутливості катода, виміряної без фільтру.

Число елементів фотоелектричного напівпровідникового приймача

Число елементів фотоелектричного напівпровідникового приймача / Element number
Кількість фоточутливих елементів фотоелектричного напівпровідникового приймача

Числова апертура у просторі предметів

Числова апертура у просторі предметів / Numerical Aperture
Добуток показника заломлення на абсолютне значення синуса апертурного кута

Чутливий об’єм газового іонізаційного детектору

Чутливий об’єм газового іонізаційного детектору / Sensitive volume
Об’єм газового іонізаційного детектору, у якому акти іонізації можуть викликати розряди, що приводять до появи вихідних імпульсів.

Чутливість вузлової точки - ПЗЗ

Чутливість вузлової точки - ПЗЗ / Node sensitivity - CCD
Коефіцієнт перетворення електронів у напругу на виході ПЗЗ, в одиницях мкВ/електрон.

Чутливість катода до синього світла, індекс чутливості в синій області спектру

Чутливість катода до синього світла, індекс чутливості в синій області спектру / Cathode blue sensitivity, Blue sensitivity index
Індекс чутливості в синій області спектру - це фотоелектричний струм, який генерується фотокатодом, коли синій фільтр (CS 5-58) встановлюється в ту ж систему вимірювання, що використовується для вимірювання інтегральної чутливості катода до світлового потоку. Індекс чутливості в синій області спектру є істотним параметром при сцинтиляційному рахунку, оскільки під час сцинтиляційних спалахів у кристалі NaI(Tl), який часто використовується для сцинтиляційного рахунку, випромінюється світло синьої області спектру.

Чутливість фотоелектричного напівпровідникового приймача

Чутливість фотоелектричного напівпровідникового приймача - чутливість ФЕНП / Responsivity
Відношення зміни електричної величини на виході ФЕНП, що викликана падаючим на нього випромінюванням, до кількісної характеристики цього випромінювання, представлена будь якою енергетичною або фотометричною величиною

Чутливість ФЕНП до потоку випромінювання / Radiant flux responsivity
Відношення зміни електричної величини на виході ФЕНП, що викликана падаючим на нього випромінюванням, до потоку цього випромінювання

Чутливість ФЕНП до світлового потоку / Luminous flux responsivity
Відношення зміни електричної величини на виході ФЕНП, що викликана падаючим на нього випромінюванням, до світлового потоку цього випромінювання

Чутливість ФЕНП до опроміненості / Irradiance responsivity

Відношення зміни електричної величини на виході ФЕНП, що викликана падаючим на нього випромінюванням, до опроміненості цим випромінюванням

Чутливість ФЕНП до освітленості / Illumination responsivity
Відношення зміни електричної величини на виході ФЕНП, що викликана падаючим на нього випромінюванням, до освітленості цим випромінюванням

Струмова чутливість ФЕНП / Current responsivity
Відношення зміни електричної струму на виході ФЕНП, що викликана падаючим на нього випромінюванням, до кількісної характеристики цього випромінювання

Вольтова чутливість ФЕНП / Voltage responsivity
Відношення зміни електричної напруги на виході ФЕНП, що викликана падаючим на нього випромінюванням, до кількісної характеристики цього випромінювання

Інтегральна чутливість ФЕНП / Total responsivity
Чутливість ФЕНП до немонохроматичного випромінювання заданого спектрального складу

Монохроматична чутливість ФЕНП / Monochromatic responsivity
Чутливість ФЕНП до монохроматичного випромінювання

Статична чутливість ФЕНП / Static responsivity
Чутливість ФЕНП, обумовлена відношенням постійних значень вимірюваного параметру фотоприймача і потоку випромінювання

Диференціальна чутливість ФЕНП / Differential responsivity
Чутливість ФЕНП, обумовлена відношенням малих приростів вимірюваного параметру фотоприймача і потоку випромінювання

Імпульсна чутливість ФЕНП / Pulse responsivity
Чутливість ФЕНП, обумовлена відношенням амплітудних значень електричної величини на виході ФЕНП і імпульсного потоку випромінювання заданої форми модуляції