Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
28 Серпня 2025
Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X
25 Липня 2025
Нові камери Kurokesu на базі IMX462
Глосарій
Газ-наповнювач іонізаційного детектору
Газовий іонізаційний детектор
Газорозрядний прилад (ГРП)
Газофазна епітаксія з металоорганічних сполук
Гасіння
Гасіння розряду у газовому іонізаційному детекторі
Гарантований термін експлуатації - Лампа
Гетеродинний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання
Гетероперехід
Гібридний фотоприймальний пристрій
Гістерезис
Глибина простору, що відображається різко
Глибоке збіднення
Глобальний затвор (Кадровий затвор)
Гомоперехід
Гомоцентричність
Гранична частота коефіцієнта передачі струму
Гранична частота фотоелектричного напівпровідникового приймача
Газовий іонізаційний детектор
Газорозрядний прилад (ГРП)
Газофазна епітаксія з металоорганічних сполук
Гасіння
Гасіння розряду у газовому іонізаційному детекторі
Гарантований термін експлуатації - Лампа
Гетеродинний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання
Гетероперехід
Гібридний фотоприймальний пристрій
Гістерезис
Глибина простору, що відображається різко
Глибоке збіднення
Глобальний затвор (Кадровий затвор)
Гомоперехід
Гомоцентричність
Гранична частота коефіцієнта передачі струму
Гранична частота фотоелектричного напівпровідникового приймача
Газ-наповнювач іонізаційного детектору
Газ-наповнювач іонізаційного детектору / Filling gas
Газ, яким заповнений внутрішній об’єм іонізаційного детектору
Газ-наповнювач іонізаційного детектору / Filling gas
Газ, яким заповнений внутрішній об’єм іонізаційного детектору
Газовий іонізаційний детектор
Газовий іонізаційний детектор / Gas ionization detector
Іонізаційний детектор, принцип дії якого заснований на використанні метричного розряду у газі під дією іонізуючого випромінювання.
Газовий іонізаційний детектор / Gas ionization detector
Іонізаційний детектор, принцип дії якого заснований на використанні метричного розряду у газі під дією іонізуючого випромінювання.
Газорозрядний прилад (ГРП)
Газорозрядний прилад (ГРП) / Gas-filled Tube
Електровакуумний прилад, у якому електричні характеристики визначаються, переважно, іонізацією навмисно введеного газу або пару.
Газорозрядний прилад (ГРП) / Gas-filled Tube
Електровакуумний прилад, у якому електричні характеристики визначаються, переважно, іонізацією навмисно введеного газу або пару.
Газофазна епітаксія з металоорганічних сполук
Газофазна епітаксія з металоорганічних сполук / Metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE)
Різновид газофазної епітаксії, у якій металоорганічні прекурсори використовуються в якості речовин, що осаджуються.
Газофазна епітаксія з металоорганічних сполук / Metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE)
Різновид газофазної епітаксії, у якій металоорганічні прекурсори використовуються в якості речовин, що осаджуються.
Гасіння
Гасіння /
Quenching
Гасіння означає затухання або швидке охолодження. У лавинному фотодіоді (APD), що працює в режимі Гейгера, гасіння є методикою для зупинки розряду Гейгера шляхом зменшення зворотної напруги нижче напруги пробою.
Гасіння означає затухання або швидке охолодження. У лавинному фотодіоді (APD), що працює в режимі Гейгера, гасіння є методикою для зупинки розряду Гейгера шляхом зменшення зворотної напруги нижче напруги пробою.
Гасіння розряду у газовому іонізаційному детекторі
Гасіння розряду у газовому іонізаційному детекторі / Gas discharge quenching
Процес закінчення розряду у газовому іонізаційному детекторі.
Гасіння розряду у газовому іонізаційному детекторі / Gas discharge quenching
Процес закінчення розряду у газовому іонізаційному детекторі.
Гарантований термін експлуатації - Лампа
Гарантований термін експлуатації - Лампа / Guaranteed life - Lamp
Закінчується, коли дрейф або коливання перевищують заявлені технічні характеристики. Це коротше, ніж середній або типовий термін експлуатації лампи. Гарантований термін експлуатації визначається як час, коли інтенсивність випромінювання падає до 50 % від початкового значення або коли коливання виходу перевищує заявлені в технічних характеристиках пристрою. Використання лампи з тривалим терміном служби призводить до зниження витрат на технічне обслуговування, а також часу і експлуатаційних витрат на обладнання. Завдяки унікальним електродним структурам з мінімальним зносом електродів, лампи виробництва Hamamatsu мають безпрецедентно високу стабільність протягом тривалого часу експлуатації.
Гарантований термін експлуатації - Лампа / Guaranteed life - Lamp
Закінчується, коли дрейф або коливання перевищують заявлені технічні характеристики. Це коротше, ніж середній або типовий термін експлуатації лампи. Гарантований термін експлуатації визначається як час, коли інтенсивність випромінювання падає до 50 % від початкового значення або коли коливання виходу перевищує заявлені в технічних характеристиках пристрою. Використання лампи з тривалим терміном служби призводить до зниження витрат на технічне обслуговування, а також часу і експлуатаційних витрат на обладнання. Завдяки унікальним електродним структурам з мінімальним зносом електродів, лампи виробництва Hamamatsu мають безпрецедентно високу стабільність протягом тривалого часу експлуатації.
Гетеродинний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання
Гетеродинний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання - Гетеродинний ФЕНП / Heterodyne detector
Фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, призначений для гетеродинного прийому випромінювання
Гетеродинний фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання - Гетеродинний ФЕНП / Heterodyne detector
Фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, призначений для гетеродинного прийому випромінювання
Гетероперехід
Гетероперехід / Heterojunction
Прикордонна область між двома різними речовинами з різним типом провідності (наприклад: GaAS-AlGaAs).
Гетероперехід / Heterojunction
Прикордонна область між двома різними речовинами з різним типом провідності (наприклад: GaAS-AlGaAs).
Гібридний фотоприймальний пристрій
Гібридний фотоприймальний пристрій - Гібридний ФПП
Фотоприймальний пристрій, виконаний об’єднанням в єдиній інтегральній схемі частин, отриманих шляхом різних технологічних циклів
Гібридний фотоприймальний пристрій - Гібридний ФПП
Фотоприймальний пристрій, виконаний об’єднанням в єдиній інтегральній схемі частин, отриманих шляхом різних технологічних циклів
Гістерезис
Гістерезис / Hysteresis
Явище, при якому рівень вихідного сигналу пристрою, виміряний в той час, коли рівень вхідного сигналу збільшується, не співпадає з рівнем вихідного сигналу, виміряному в той час, коли рівень вхідного сигналу зменшується, при однакових рівнях вхідного сигналу. Завдяки цьому шуми у межах ширини гістерезису не призводять до виникнення коливань. Цей ефект використовується у компараторі шляхом подачі частини вихідного сигналу на неінвертуючий вхід.
Гістерезис / Hysteresis
Явище, при якому рівень вихідного сигналу пристрою, виміряний в той час, коли рівень вхідного сигналу збільшується, не співпадає з рівнем вихідного сигналу, виміряному в той час, коли рівень вхідного сигналу зменшується, при однакових рівнях вхідного сигналу. Завдяки цьому шуми у межах ширини гістерезису не призводять до виникнення коливань. Цей ефект використовується у компараторі шляхом подачі частини вихідного сигналу на неінвертуючий вхід.
Глибина простору, що відображається різко
Глибина простору, що відображається різко / Depth of field (DOF)
Глибина простору, що відображається різко на фотографічному зображенні - це відстань між передньою і задньою межами різко зображеного простору, виміряна вздовж оптичної осі, у межах якого об'єкти зйомки на знімку відображаються безумовно різко.
Глибина простору, що відображається різко / Depth of field (DOF)
Глибина простору, що відображається різко на фотографічному зображенні - це відстань між передньою і задньою межами різко зображеного простору, виміряна вздовж оптичної осі, у межах якого об'єкти зйомки на знімку відображаються безумовно різко.
Глибоке збіднення
Глибоке збіднення / Deep depletion
Технологія зменшення кількості носіїв заряду у відносно великій області напівпровідника шляхом легування і прикладання напруги з ціллю збільшення глибини потенціальної ями.
Глибоке збіднення / Deep depletion
Технологія зменшення кількості носіїв заряду у відносно великій області напівпровідника шляхом легування і прикладання напруги з ціллю збільшення глибини потенціальної ями.
Глобальний затвор (Кадровий затвор)
Глобальний затвор (Кадровий затвор) / Global shutter
Затвор одночасно працює з усіма пікселями матриці, відкриваючи або перекриваючи світловий потік. При цьому накоплення здійснюється відразу у всіх пікселях фоточутливої області. Як тільки етап накоплення закінчується, весь кадр відправляється на подальшу обробку.
Глобальний затвор (Кадровий затвор) / Global shutter
Затвор одночасно працює з усіма пікселями матриці, відкриваючи або перекриваючи світловий потік. При цьому накоплення здійснюється відразу у всіх пікселях фоточутливої області. Як тільки етап накоплення закінчується, весь кадр відправляється на подальшу обробку.
Гомоперехід
Гомоперехід / Homojunction
Прикордонна область між двома однаковими речовинами з різним типом провідності (наприклад: Si(n)–Si(p) (кремній n-типу – кремній p-типу)).
Гомоперехід / Homojunction
Прикордонна область між двома однаковими речовинами з різним типом провідності (наприклад: Si(n)–Si(p) (кремній n-типу – кремній p-типу)).
Гомоцентричність
Гомоцентричність / Homocentricity
Світловий пучок, що має точкову вершину, всі складові промені (або їх продовження) проходять через одну точку. Для знаходження вершини гомоцентричного пучка достатньо знати траєкторії всього двох його променів. Ця особливість широко використовується при побудові зображень в абсолютних оптичних системах. Поняття гомоцентричного пучка являється ідеалізацією.
Гомоцентричність / Homocentricity
Світловий пучок, що має точкову вершину, всі складові промені (або їх продовження) проходять через одну точку. Для знаходження вершини гомоцентричного пучка достатньо знати траєкторії всього двох його променів. Ця особливість широко використовується при побудові зображень в абсолютних оптичних системах. Поняття гомоцентричного пучка являється ідеалізацією.
Гранична частота коефіцієнта передачі струму
Гранична частота коефіцієнта передачі струму / Transition frequency
Це спочатку означало частоту, на якій коефіцієнт підсилення струму (hfe) транзистора із заземленим емітером дорівнює 1, а тепер вказує частоту, на якій коефіцієнт підсилення підсилювального елемента стає рівним 1.
Гранична частота коефіцієнта передачі струму / Transition frequency
Це спочатку означало частоту, на якій коефіцієнт підсилення струму (hfe) транзистора із заземленим емітером дорівнює 1, а тепер вказує частоту, на якій коефіцієнт підсилення підсилювального елемента стає рівним 1.
Гранична частота фотоелектричного напівпровідникового приймача
Гранична частота фотоелектричного напівпровідникового приймача / Cut-off frequency
Частота синусоїдально модульованого потоку випромінювання, при якій чутливість фотоелектричного напівпровідникового приймача падає до значення 0,707 від чутливості при немодульованому випромінюванні
Гранична частота фотоелектричного напівпровідникового приймача / Cut-off frequency
Частота синусоїдально модульованого потоку випромінювання, при якій чутливість фотоелектричного напівпровідникового приймача падає до значення 0,707 від чутливості при немодульованому випромінюванні