Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
28 Серпня 2025
Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X
25 Липня 2025
Нові камери Kurokesu на базі IMX462
Глосарій
E детектор, ΔE детектор
еВ (електрон-вольт)
Еквівалентна потужність шуму (NEP)
Еквівалентна темнова освітленість ЕОП
Еквівалентний шумовий вхідний сигнал – Фотоелектронний помножувач
Ексцентриситет зображення ЕОП
Електрична міцність ізоляції фотоелектричного напівпровідникового приймача
Електронний затвор
Електронно-оптичний перетворювач (ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач однокамерний (Однокамерний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач багатокамерний (Багатокамерний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач модульний (Модульний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач багатомодульний (Багатомодульний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач з мікроканальною пластиною (ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий з мікроканальною пластиною (Інвертуючий ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач плаский (Плаский ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий плаский з мікроканальною пластиною (Інвертуючий плаский ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач рентгенівський (Рентгенівський ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач з регульованим збільшенням зображення
Електронно-оптичний перетворювач імпульсний (Імпульсний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач скляний (Скляний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач металоскляний (Металоскляний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач металокерамічний (Металокерамічний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним входом
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним виходом
Електронно-оптичний перетворювач герметизований (Герметизований ЕОП)
Електронно-оптичний затвор ЕОП
Електронно-оптичне збільшення ЕОП
Електронно-оптичний перетворювач межа роздільної здатності
Електронно-оптичний перетворювач робоча роздільна здатність
Електронно-оптичний перетворювач коефіцієнт передачі контрасту
Електронно-оптичний перетворювач співвідношення сигнал-шум
Електропровідне покриття - Фотоелектронний помножувач
Енергія активації
Енергія забороненої зони
Енергетична роздільна здатність фотопомножувача
Енергетична характеристика напруги фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача
Енергетична характеристика статичного опору фоторезистору
Енергетична характеристика фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Енергетичний еквівалент власних шумів фотопомножувача
Епітаксійний кремній
Ефект інтерференції падаючої і відбитої хвиль
Ефект Зеєбека
Ефект просторового заряду
Ефективна фоточутлива площа фотоелектричного напівпровідникового приймача
Ефективне поле зору фотоелектричного напівпровідникового приймача
Ефективність виявлення фотонів (PDE)
Ефективність затвора
Ефективність збору фотоелектронів фотопомножувача
Ефективність каскаду підсилення фотопомножувача
еВ (електрон-вольт)
Еквівалентна потужність шуму (NEP)
Еквівалентна темнова освітленість ЕОП
Еквівалентний шумовий вхідний сигнал – Фотоелектронний помножувач
Ексцентриситет зображення ЕОП
Електрична міцність ізоляції фотоелектричного напівпровідникового приймача
Електронний затвор
Електронно-оптичний перетворювач (ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач однокамерний (Однокамерний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач багатокамерний (Багатокамерний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач модульний (Модульний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач багатомодульний (Багатомодульний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач з мікроканальною пластиною (ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий з мікроканальною пластиною (Інвертуючий ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач плаский (Плаский ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий плаский з мікроканальною пластиною (Інвертуючий плаский ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач рентгенівський (Рентгенівський ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач з регульованим збільшенням зображення
Електронно-оптичний перетворювач імпульсний (Імпульсний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач скляний (Скляний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач металоскляний (Металоскляний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач металокерамічний (Металокерамічний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним входом
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним виходом
Електронно-оптичний перетворювач герметизований (Герметизований ЕОП)
Електронно-оптичний затвор ЕОП
Електронно-оптичне збільшення ЕОП
Електронно-оптичний перетворювач межа роздільної здатності
Електронно-оптичний перетворювач робоча роздільна здатність
Електронно-оптичний перетворювач коефіцієнт передачі контрасту
Електронно-оптичний перетворювач співвідношення сигнал-шум
Електропровідне покриття - Фотоелектронний помножувач
Енергія активації
Енергія забороненої зони
Енергетична роздільна здатність фотопомножувача
Енергетична характеристика напруги фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача
Енергетична характеристика статичного опору фоторезистору
Енергетична характеристика фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Енергетичний еквівалент власних шумів фотопомножувача
Епітаксійний кремній
Ефект інтерференції падаючої і відбитої хвиль
Ефект Зеєбека
Ефект просторового заряду
Ефективна фоточутлива площа фотоелектричного напівпровідникового приймача
Ефективне поле зору фотоелектричного напівпровідникового приймача
Ефективність виявлення фотонів (PDE)
Ефективність затвора
Ефективність збору фотоелектронів фотопомножувача
Ефективність каскаду підсилення фотопомножувача
E детектор, ΔE детектор
E детектор, ΔE детектор /
E detector, ΔE detector
Е детектор - це детектор, товщина якого достатня для перекриття енергетичного діапазону частинок з високою енергією. Він призначений для виявлення повної енергії частинки. Навпаки, ΔE детектор зроблено достатньо тонким, щоб частинки, що детектуються могли пройти через нього, щоб можна було визначити питому втрату енергії у частинці. Комбінація ΔE детектора і Е детектора називається ΔE-E детектором і являється ефективним засобом ідентифікації частинок.
Е детектор - це детектор, товщина якого достатня для перекриття енергетичного діапазону частинок з високою енергією. Він призначений для виявлення повної енергії частинки. Навпаки, ΔE детектор зроблено достатньо тонким, щоб частинки, що детектуються могли пройти через нього, щоб можна було визначити питому втрату енергії у частинці. Комбінація ΔE детектора і Е детектора називається ΔE-E детектором і являється ефективним засобом ідентифікації частинок.
еВ (електрон-вольт)
еВ (електрон-вольт) / eV (electron volt)
Енергія, що набувається електроном, коли він прискорюється різницею потенціалів у 1 Вольт у вакуумі. Ця величина зазвичай використовується як одиниця для вираження енергії елементарних частинок, атомних ядер, атомів, молекул тощо.
1 еВ = 1.602 10-19 Дж
еВ (електрон-вольт) / eV (electron volt)
Енергія, що набувається електроном, коли він прискорюється різницею потенціалів у 1 Вольт у вакуумі. Ця величина зазвичай використовується як одиниця для вираження енергії елементарних частинок, атомних ядер, атомів, молекул тощо.
1 еВ = 1.602 10-19 Дж
Еквівалентна потужність шуму (NEP)
Еквівалентна потужність шуму / NEP (noise equivalent power)
Еквівалентна потужність шуму (NEP) - це рівень падаючого світла, еквівалентний рівню шуму пристрою. Іншими словами, це рівень освітленості, необхідний для отримання відношення сигнал/шум (S/N) рівний 1. Значення еквівалентної потужності шуму визначається при довжині хвилі піку чутливості (λp). Оскільки рівень шуму пропорційний квадратному кореню з ширини смуги частот, то ширина смуги пропускання нормалізована до 1 Гц.

Еквівалентна потужність шуму / NEP (noise equivalent power)
Еквівалентна потужність шуму (NEP) - це рівень падаючого світла, еквівалентний рівню шуму пристрою. Іншими словами, це рівень освітленості, необхідний для отримання відношення сигнал/шум (S/N) рівний 1. Значення еквівалентної потужності шуму визначається при довжині хвилі піку чутливості (λp). Оскільки рівень шуму пропорційний квадратному кореню з ширини смуги частот, то ширина смуги пропускання нормалізована до 1 Гц.

Еквівалентна темнова освітленість ЕОП
Еквівалентна темнова освітленість ЕОП / EBI (Equivalent Background Illumination) - Image Intensifier
Освітленість на вході електронно-оптичного перетворювача, еквівалентна яскравості темнового фону ЕОП. Тобто це те світло, яке ви бачите на виході ЕОП, при відсутності світла на його фотокатоді. Фактично рівень EBI визначає найнижчий рівень освітлення, на якому може бути виявлено зображення.
Примітка: Еквівалентна темнова освітленість визначається за формулою:

Bо - яскравість зображення на виході при відсутності світла на вході,
ηB – коефіцієнт підсилення яскравості.
Еквівалентна темнова освітленість ЕОП / EBI (Equivalent Background Illumination) - Image Intensifier
Освітленість на вході електронно-оптичного перетворювача, еквівалентна яскравості темнового фону ЕОП. Тобто це те світло, яке ви бачите на виході ЕОП, при відсутності світла на його фотокатоді. Фактично рівень EBI визначає найнижчий рівень освітлення, на якому може бути виявлено зображення.
Примітка: Еквівалентна темнова освітленість визначається за формулою:

Bо - яскравість зображення на виході при відсутності світла на вході,
ηB – коефіцієнт підсилення яскравості.
Еквівалентний шумовий вхідний сигнал – Фотоелектронний помножувач
Еквівалентний шумовий вхідний сигнал – Фотоелектронний помножувач / ENI (Equivalent Noise Input) - Photomultiplier tube
Еквівалентний шумовий вхідний сигнал (ENI) вказує на обмежене фотоном відношення сигнал/шум. Еквівалентний шумовий вхідний сигнал це кількість світла в ватах, необхідного для отримання на виході фотоелектронного помножувача відношення сигнал/шум рівного одиниці. Значення еквівалентного шумового вхідного сигналу визначається рівнянням:

q = заряд електрона (1.60 x 10-19 кулона)
Idb = темновий струм аноду в амперах після 30 хвилин зберігання фотоелектронного помножувача у темряві
μ = підсилення
△f = смуга пропускання системи в герцах (зазвичай 1 герц)
S = інтегральна чутливість аноду до потоку випромінювання в амперах на ват при довжині хвилі, що представляє інтерес
Еквівалентний шумовий вхідний сигнал – Фотоелектронний помножувач / ENI (Equivalent Noise Input) - Photomultiplier tube
Еквівалентний шумовий вхідний сигнал (ENI) вказує на обмежене фотоном відношення сигнал/шум. Еквівалентний шумовий вхідний сигнал це кількість світла в ватах, необхідного для отримання на виході фотоелектронного помножувача відношення сигнал/шум рівного одиниці. Значення еквівалентного шумового вхідного сигналу визначається рівнянням:

q = заряд електрона (1.60 x 10-19 кулона)
Idb = темновий струм аноду в амперах після 30 хвилин зберігання фотоелектронного помножувача у темряві
μ = підсилення
△f = смуга пропускання системи в герцах (зазвичай 1 герц)
S = інтегральна чутливість аноду до потоку випромінювання в амперах на ват при довжині хвилі, що представляє інтерес
Ексцентриситет зображення ЕОП
Ексцентриситет зображення ЕОП / Image Excentricity - Image Intensifier
Відхилення проекції зображення центру вхідної поверхні електронно-оптичного перетворювача на вихідній поверхні від геометричного центру вихідної поверхні.
Ексцентриситет зображення ЕОП / Image Excentricity - Image Intensifier
Відхилення проекції зображення центру вхідної поверхні електронно-оптичного перетворювача на вихідній поверхні від геометричного центру вихідної поверхні.
Електрична міцність ізоляції фотоелектричного напівпровідникового приймача
Електрична міцність ізоляції фотоелектричного напівпровідникового приймача - електрична міцність ізоляції ФЕНП / Insulating strength
Максимально допустима напруга між виводами та корпусом ФЕНП, при якій протягом тривалого часу не відбувається пробою ізоляції або зменшення опору ізоляції
Електрична міцність ізоляції фотоелектричного напівпровідникового приймача - електрична міцність ізоляції ФЕНП / Insulating strength
Максимально допустима напруга між виводами та корпусом ФЕНП, при якій протягом тривалого часу не відбувається пробою ізоляції або зменшення опору ізоляції
Електронний затвор
Електронний затвор / Electronic Shutter
Електронні затвори використовуються у сучасній цифровій фототехніці, і являють собою не окремий пристрій, а принцип дозування експозиції цифровою матрицею. Видержка визначається часом між обнуленням матриці і моментом зчитування інформації з неї. Використання електронного затвору дозволяє досягти більш коротких витримок (у тому числі і витримки синхронізації зі спалахом) без використання більш дорогих високошвидкісних механічних затворів. Крім того, виробляються матриці, що мають індивідуальний електронний затвор у кожному пікселі. У цьому варіанті виконується налаштування оптимального часу експозиції для кожного пікселя в залежності від рівня освітленості у даній ділянці кадру.
Електронний затвор / Electronic Shutter
Електронні затвори використовуються у сучасній цифровій фототехніці, і являють собою не окремий пристрій, а принцип дозування експозиції цифровою матрицею. Видержка визначається часом між обнуленням матриці і моментом зчитування інформації з неї. Використання електронного затвору дозволяє досягти більш коротких витримок (у тому числі і витримки синхронізації зі спалахом) без використання більш дорогих високошвидкісних механічних затворів. Крім того, виробляються матриці, що мають індивідуальний електронний затвор у кожному пікселі. У цьому варіанті виконується налаштування оптимального часу експозиції для кожного пікселя в залежності від рівня освітленості у даній ділянці кадру.
Електронно-оптичний перетворювач (ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач (ЕОП) / Image Intensifier and Converter Tube
Фотоелектронний електровакуумний прилад, призначений для перетворення спектрального складу зображення та (або) підсилення яскравості зображення.
Електронно-оптичний перетворювач (ЕОП) / Image Intensifier and Converter Tube
Фотоелектронний електровакуумний прилад, призначений для перетворення спектрального складу зображення та (або) підсилення яскравості зображення.
Електронно-оптичний перетворювач однокамерний (Однокамерний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач однокамерний (Однокамерний ЕОП) / Single-stage Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з фотокатода, системи формування електронного зображення і люмінесцентного екрану.
Електронно-оптичний перетворювач однокамерний (Однокамерний ЕОП) / Single-stage Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з фотокатода, системи формування електронного зображення і люмінесцентного екрану.
Електронно-оптичний перетворювач багатокамерний (Багатокамерний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач багатокамерний (Багатокамерний ЕОП) / Multi-stage Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з послідовно з’єднаних у єдиному вакуумному об’ємі однокамерних ЕОП.
Примітка: В залежності від числа камер розрізняють «двокамерний ЕОП», «трикамерний ЕОП» і т.д.
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з послідовно з’єднаних у єдиному вакуумному об’ємі однокамерних ЕОП.
Примітка: В залежності від числа камер розрізняють «двокамерний ЕОП», «трикамерний ЕОП» і т.д.
Електронно-оптичний перетворювач модульний (Модульний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач модульний (Модульний ЕОП) / Fiberoptic Image Tube
Однокамерний ЕОП з волоконно-оптичною пластиною на вході та (або) виході, яка дозволяє здійснити перенос зображення за допомогою оптичного контакту.
Однокамерний ЕОП з волоконно-оптичною пластиною на вході та (або) виході, яка дозволяє здійснити перенос зображення за допомогою оптичного контакту.
Електронно-оптичний перетворювач багатомодульний (Багатомодульний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач багатомодульний (Багатомодульний ЕОП) / Cascade Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з послідовно з’єднаних модульних ЕОП.
Примітка: В залежності від числа модулів розрізняють «двомодульний ЕОП», «тримодульний ЕОП» і т.д.
Електронно-оптичний перетворювач багатомодульний (Багатомодульний ЕОП) / Cascade Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з послідовно з’єднаних модульних ЕОП.
Примітка: В залежності від числа модулів розрізняють «двомодульний ЕОП», «тримодульний ЕОП» і т.д.
Електронно-оптичний перетворювач з мікроканальною пластиною (ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач з мікроканальною пластиною (ЕОП з МКП) / Microchannelplate Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, у якому підвищення коефіцієнту яскравості відбувається за допомогою мікроканальної пластини.
Електронно-оптичний перетворювач з мікроканальною пластиною (ЕОП з МКП) / Microchannelplate Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, у якому підвищення коефіцієнту яскравості відбувається за допомогою мікроканальної пластини.
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий з мікроканальною пластиною (Інвертуючий ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий з мікроканальною пластиною (Інвертуючий ЕОП з МКП) / Inverting Microchannel Plate Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач з мікроканальною пластиною, у якому використовується інвертуюча електростатична фокусуюча система.
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий з мікроканальною пластиною (Інвертуючий ЕОП з МКП) / Inverting Microchannel Plate Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач з мікроканальною пластиною, у якому використовується інвертуюча електростатична фокусуюча система.
Електронно-оптичний перетворювач плаский (Плаский ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач плаский (Плаский ЕОП) / Proximity Focused Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з фотокатоду, пласкої електростатичної системи прямого переносу зображення і люмінесцентного екрану.
Електронно-оптичний перетворювач, який складається з фотокатоду, пласкої електростатичної системи прямого переносу зображення і люмінесцентного екрану.
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий плаский з мікроканальною пластиною (Інвертуючий плаский ЕОП з МКП)
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий плаский з мікроканальною пластиною / Proximity focused microchannel plate and inverter fiberoptic image intensifier
Плаский ЕОП з мікроканальною пластиною, люмінесцентний екран якого нанесений або з’єднаний з інвертуючою волоконно-оптичною пластиною.
Електронно-оптичний перетворювач інвертуючий плаский з мікроканальною пластиною / Proximity focused microchannel plate and inverter fiberoptic image intensifier
Плаский ЕОП з мікроканальною пластиною, люмінесцентний екран якого нанесений або з’єднаний з інвертуючою волоконно-оптичною пластиною.
Електронно-оптичний перетворювач рентгенівський (Рентгенівський ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач рентгенівський (Рентгенівський ЕОП) / X-ray Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, який призначений для перетворення рентгенівського зображення у видиме.
Електронно-оптичний перетворювач рентгенівський (Рентгенівський ЕОП) / X-ray Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, який призначений для перетворення рентгенівського зображення у видиме.
Електронно-оптичний перетворювач з регульованим збільшенням зображення
Електронно-оптичний перетворювач з регульованим збільшенням зображення / Variable Magnification Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, у якому передбачена можливість зміни масштабу зображення на виході шляхом зміни електронно-оптичного збільшення.
Електронно-оптичний перетворювач з регульованим збільшенням зображення / Variable Magnification Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, у якому передбачена можливість зміни масштабу зображення на виході шляхом зміни електронно-оптичного збільшення.
Електронно-оптичний перетворювач імпульсний (Імпульсний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач імпульсний (Імпульсний ЕОП) / Light Shutter Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, у якому передбачена можливість імпульсного керування електронним зображенням.
Електронно-оптичний перетворювач, у якому передбачена можливість імпульсного керування електронним зображенням.
Електронно-оптичний перетворювач скляний (Скляний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач скляний (Скляний ЕОП) / Glass Bulb Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, оболонка якого виготовлена зі скла.
Електронно-оптичний перетворювач скляний (Скляний ЕОП) / Glass Bulb Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, оболонка якого виготовлена зі скла.
Електронно-оптичний перетворювач металоскляний (Металоскляний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач металоскляний (Металоскляний ЕОП) / Metal-glass Bulb Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, оболонка якого виготовлена з металевих і скляних елементів.
Електронно-оптичний перетворювач металоскляний (Металоскляний ЕОП) / Metal-glass Bulb Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, оболонка якого виготовлена з металевих і скляних елементів.
Електронно-оптичний перетворювач металокерамічний (Металокерамічний ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач металокерамічний (Металокерамічний ЕОП) / Metal-ceramic Bulb Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, оболонка якого виготовлена з металевих і керамічних елементів.
Електронно-оптичний перетворювач металокерамічний (Металокерамічний ЕОП) / Metal-ceramic Bulb Image Tube
Електронно-оптичний перетворювач, оболонка якого виготовлена з металевих і керамічних елементів.
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним входом
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним входом / Image Intensifier with Fiberoptic Input
Електронно-оптичний перетворювач, фотокатод якого нанесено на волоконно-оптичну пластину.
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним входом / Image Intensifier with Fiberoptic Input
Електронно-оптичний перетворювач, фотокатод якого нанесено на волоконно-оптичну пластину.
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним виходом
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним виходом / Image Intensifier with Fiberoptic Output
Електронно-оптичний перетворювач, люмінесцентний екран якого нанесено на волоконно-оптичну пластину.
Електронно-оптичний перетворювач з волоконно-оптичним виходом / Image Intensifier with Fiberoptic Output
Електронно-оптичний перетворювач, люмінесцентний екран якого нанесено на волоконно-оптичну пластину.
Електронно-оптичний перетворювач герметизований (Герметизований ЕОП)
Електронно-оптичний перетворювач герметизований (Герметизований ЕОП) / Encapsulated Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, елементи електричної схеми якого, захищені від впливу зовнішнього середовища герметизуючим електроізоляційним матеріалом.
Електронно-оптичний перетворювач герметизований (Герметизований ЕОП) / Encapsulated Image Intensifier
Електронно-оптичний перетворювач, елементи електричної схеми якого, захищені від впливу зовнішнього середовища герметизуючим електроізоляційним матеріалом.
Електронно-оптичний затвор ЕОП
Електронно-оптичний затвор ЕОП / Electronic Shutter - Image Intensifier
Електроди електронно-оптичного перетворювача, які забезпечують запирання електронного зображення.
Електронно-оптичний затвор ЕОП / Electronic Shutter - Image Intensifier
Електроди електронно-оптичного перетворювача, які забезпечують запирання електронного зображення.
Електронно-оптичне збільшення ЕОП
Електронно-оптичне збільшення ЕОП / Magnification - Image Intensifier
Відношення розміру зображення об’єкту на вихідній поверхні електронно-оптичного перетворювача до розміру відповідного йому зображення об’єкту на вхідній поверхні.
Електронно-оптичне збільшення ЕОП / Magnification - Image Intensifier
Відношення розміру зображення об’єкту на вихідній поверхні електронно-оптичного перетворювача до розміру відповідного йому зображення об’єкту на вхідній поверхні.
Електронно-оптичний перетворювач межа роздільної здатності
Електронно-оптичний перетворювач межа роздільної здатності / High Light Level Limiting Resolution - Image Intensifier
Найбільше число штрихів у одному міліметрі зображення штрихової міри на вході електронно-оптичного перетворювача, які на виході розрізняються по чотирьом напрямкам при оптимальних для ока умовах спостереження.
Електронно-оптичний перетворювач межа роздільної здатності / High Light Level Limiting Resolution - Image Intensifier
Найбільше число штрихів у одному міліметрі зображення штрихової міри на вході електронно-оптичного перетворювача, які на виході розрізняються по чотирьом напрямкам при оптимальних для ока умовах спостереження.
Електронно-оптичний перетворювач робоча роздільна здатність
Електронно-оптичний перетворювач робоча роздільна здатність / Low Light Level Limiting Resolution - Image Intensifier
Межа роздільної здатності ЕОП при заданих освітленості і контрастності штрихової міри.
Електронно-оптичний перетворювач робоча роздільна здатність / Low Light Level Limiting Resolution - Image Intensifier
Межа роздільної здатності ЕОП при заданих освітленості і контрастності штрихової міри.
Електронно-оптичний перетворювач коефіцієнт передачі контрасту
Електронно-оптичний перетворювач коефіцієнт передачі контрасту / Modulation Transfer Factor - Image Intensifier
Відношення контрасту зображення на виході електронно-оптичного перетворювача до контрасту відповідного йому зображення на вході при фіксованій просторовій частоті синусоїдального растру.
Електронно-оптичний перетворювач коефіцієнт передачі контрасту / Modulation Transfer Factor - Image Intensifier
Відношення контрасту зображення на виході електронно-оптичного перетворювача до контрасту відповідного йому зображення на вході при фіксованій просторовій частоті синусоїдального растру.
Електронно-оптичний перетворювач співвідношення сигнал-шум
Електронно-оптичний перетворювач співвідношення сигнал-шум / Signal-to-Noise Ratio - Image Intensifier
Приведене до входу співвідношення середньої яскравості на виході електронно-оптичного перетворювача до середнього квадратичного значення відхилення яскравості на виході від середнього значення, виміряного при заданих освітленості на вході і смузі частот.
Електронно-оптичний перетворювач співвідношення сигнал-шум / Signal-to-Noise Ratio - Image Intensifier
Приведене до входу співвідношення середньої яскравості на виході електронно-оптичного перетворювача до середнього квадратичного значення відхилення яскравості на виході від середнього значення, виміряного при заданих освітленості на вході і смузі частот.
Електропровідне покриття - Фотоелектронний помножувач
Електропровідне покриття - Фотоелектронний помножувач / HA coating - Photomultiplier tube
Електропровідне покриття, розміщене на колбі фотоелектронних помножувачів для запобігання генерації шуму від розміщених близько заземлених об'єктів. Використання необхідно тільки при роботі з негативною високою напругою.

Електропровідне покриття - Фотоелектронний помножувач / HA coating - Photomultiplier tube
Електропровідне покриття, розміщене на колбі фотоелектронних помножувачів для запобігання генерації шуму від розміщених близько заземлених об'єктів. Використання необхідно тільки при роботі з негативною високою напругою.

Енергія активації
Енергія активації /
Activation energy
Це енергія, що необхідна речовині для проведення реакції. У рівнянні Арреніуса для розрахунку швидкості хімічної реакції енергія активації використовується у якості індикатора для вираження того, наскільки важко протікає хімічна реакція. Рівняння Арреніуса використовується для розрахунку терміну експлуатації світлодіодів і тому подібного. Енергія активації деградації світлодіоду розраховується виходячи з частоти відмов при кількох температурних умовах.
Це енергія, що необхідна речовині для проведення реакції. У рівнянні Арреніуса для розрахунку швидкості хімічної реакції енергія активації використовується у якості індикатора для вираження того, наскільки важко протікає хімічна реакція. Рівняння Арреніуса використовується для розрахунку терміну експлуатації світлодіодів і тому подібного. Енергія активації деградації світлодіоду розраховується виходячи з частоти відмов при кількох температурних умовах.
Енергія забороненої зони
Енергія забороненої зони / Band gap energy
У напівпровіднику, ізоляторі або металі електрони, що оточують ядро, існують на певних енергетичних рівнях. У напівпровідниках або ізоляторах сукупність енергетичних рівнів, де знаходяться електрони, по найбільш високий енергетичний рівень, що при температурі абсолютного нуля заповнений електронами, називається валентною зоною, а енергетична зона без електронів називається зоною провідності. Діапазон енергій в забороненій зоні (забороненої зони), що розташовується між валентною зоною і зоною провідності, називається енергією забороненої зони. У металах забороненої зони немає, оскільки валентна зона і зона провідності перекриваються.
Енергія забороненої зони / Band gap energy
У напівпровіднику, ізоляторі або металі електрони, що оточують ядро, існують на певних енергетичних рівнях. У напівпровідниках або ізоляторах сукупність енергетичних рівнів, де знаходяться електрони, по найбільш високий енергетичний рівень, що при температурі абсолютного нуля заповнений електронами, називається валентною зоною, а енергетична зона без електронів називається зоною провідності. Діапазон енергій в забороненій зоні (забороненої зони), що розташовується між валентною зоною і зоною провідності, називається енергією забороненої зони. У металах забороненої зони немає, оскільки валентна зона і зона провідності перекриваються.
Енергетична роздільна здатність фотопомножувача
Енергетична роздільна здатність фотопомножувача / Energy resolution of photomultiplier
Здатність системи «сцинтилятор-фотопомножувач» розрізняти близькі по енергії кванти гама-випромінювання.
Енергетична роздільна здатність фотопомножувача / Energy resolution of photomultiplier
Здатність системи «сцинтилятор-фотопомножувач» розрізняти близькі по енергії кванти гама-випромінювання.
Енергетична характеристика напруги фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача
Енергетична характеристика напруги фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача / Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic
Залежність параметру фотоструму, опору, напруги або струму фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача від потоку або щільності потоку випромінювання, що падає на фотоелектричний напівпровідниковий приймач
Енергетична характеристика напруги фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача / Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic
Залежність параметру фотоструму, опору, напруги або струму фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача від потоку або щільності потоку випромінювання, що падає на фотоелектричний напівпровідниковий приймач
Енергетична характеристика статичного опору фоторезистору
Енергетична характеристика статичного опору фоторезистору / Radiant power-static resistance characteristic
Залежність статичного опору фоторезистору від потоку або щільності потоку випромінювання, що падає на фоторезистор
Енергетична характеристика статичного опору фоторезистору / Radiant power-static resistance characteristic
Залежність статичного опору фоторезистору від потоку або щільності потоку випромінювання, що падає на фоторезистор
Енергетична характеристика фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Енергетична характеристика фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Photocurrent-radiant flux characteristic
Залежність фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача від потоку або щільності потоку випромінювання, що падає на фотоелектричний напівпровідниковий приймач
Енергетична характеристика фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Photocurrent-radiant flux characteristic
Залежність фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача від потоку або щільності потоку випромінювання, що падає на фотоелектричний напівпровідниковий приймач
Енергетичний еквівалент власних шумів фотопомножувача
Енергетичний еквівалент власних шумів фотопомножувача / Noise equivalent of energy of photomultiplier
Енергія гама-випромінювання, яка викликає в системі «сцинтилятор-фотопомножувач» імпульси з амплітудою, яка визначається по рівню власних шумів.
Енергетичний еквівалент власних шумів фотопомножувача / Noise equivalent of energy of photomultiplier
Енергія гама-випромінювання, яка викликає в системі «сцинтилятор-фотопомножувач» імпульси з амплітудою, яка визначається по рівню власних шумів.
Епітаксійний кремній
Епітаксійний кремній / Epitaxial silicon
Різновид високоомного кремнію, отриманого епітаксійним способом.
Епітаксійний кремній / Epitaxial silicon
Різновид високоомного кремнію, отриманого епітаксійним способом.
Ефект інтерференції падаючої і відбитої хвиль
Ефект інтерференції падаючої і відбитої хвиль / Etaloning
Ефект періодичної залежності заряду, що накоплений у пікселі, від довжини хвилі у ближньому інфрачервоному діапазоні, викликаної інтерференцією падаючих і відбитих хвиль всередині напівпровідника.
Ефект інтерференції падаючої і відбитої хвиль / Etaloning
Ефект періодичної залежності заряду, що накоплений у пікселі, від довжини хвилі у ближньому інфрачервоному діапазоні, викликаної інтерференцією падаючих і відбитих хвиль всередині напівпровідника.
Ефект Зеєбека
Ефект Зеєбека / Seebeck effect
Ефект, при якому різниця потенціалів (електрорушійна сила) з'являється між кінцями двох різних металів або сплавів, коли є різниця температур між стороною гарячого спаю і стороною холодного спаю двох різних металів або сплавів.
Ефект Зеєбека / Seebeck effect
Ефект, при якому різниця потенціалів (електрорушійна сила) з'являється між кінцями двох різних металів або сплавів, коли є різниця температур між стороною гарячого спаю і стороною холодного спаю двох різних металів або сплавів.
Ефект просторового заряду
Ефект просторового заряду / Space charge effect
Коли світло, що падає на фотодатчик, блокується, розподіл носіїв у виснаженому шарі порушується. Потім носії притягуються до електродів і генерують у виснаженому шарі електричне поле в напрямку, протилежному до напруги зсуву. Це явище називається ефектом просторового заряду і може погіршити характеристики відгуку (час спаду), коли рівень падаючого світла високий.
Ефект просторового заряду / Space charge effect
Коли світло, що падає на фотодатчик, блокується, розподіл носіїв у виснаженому шарі порушується. Потім носії притягуються до електродів і генерують у виснаженому шарі електричне поле в напрямку, протилежному до напруги зсуву. Це явище називається ефектом просторового заряду і може погіршити характеристики відгуку (час спаду), коли рівень падаючого світла високий.
Ефективна фоточутлива площа фотоелектричного напівпровідникового приймача
Ефективна фоточутлива площа фотоелектричного напівпровідникового приймача / Effective area of the responsive element
Площа фоточутливого елементу еквівалентного по фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача, чутливість якого рівномірно розподілена по фоточутливому елементу і рівна номінальному значенню локальної чутливості даного приймача.
Примітка: визначається співвідношенням

де S(x, у) - чутливість до потоку при опроміненні фоточутливого елементу точковою плямою з координатами (x, y);
А - площа цього фоточутливого елементу.
У якості номінального значення локальної чутливості SN, зазвичай, вибирається максимальна чутливість точки у центрі фотоелектричного напівпровідникового приймача (у точці x0, y0). Для фотоелектричного напівпровідникового приймача з різкими неоднорідностями чутливості (мікроплазмами, викидами чутливості на краях) методика вибору SN обумовлюється додатково
Ефективна фоточутлива площа фотоелектричного напівпровідникового приймача / Effective area of the responsive element
Площа фоточутливого елементу еквівалентного по фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача, чутливість якого рівномірно розподілена по фоточутливому елементу і рівна номінальному значенню локальної чутливості даного приймача.
Примітка: визначається співвідношенням

А - площа цього фоточутливого елементу.
У якості номінального значення локальної чутливості SN, зазвичай, вибирається максимальна чутливість точки у центрі фотоелектричного напівпровідникового приймача (у точці x0, y0). Для фотоелектричного напівпровідникового приймача з різкими неоднорідностями чутливості (мікроплазмами, викидами чутливості на краях) методика вибору SN обумовлюється додатково
Ефективне поле зору фотоелектричного напівпровідникового приймача
Ефективне поле зору фотоелектричного напівпровідникового приймача / Effective weighted solid angle
Тілесний кут, що визначається співвідношенням

де Uc - напруга фотосигналу приймача;
Ефективне поле зору фотоелектричного напівпровідникового приймача / Effective weighted solid angle
Тілесний кут, що визначається співвідношенням

де Uc - напруга фотосигналу приймача;
допускається заміна параметру Uc на Ic, Iф;
- кут між направленням падаючого випромінювання і нормаллю до фоточутливого елементу;
- азимутальний кут
Ефективність виявлення фотонів (PDE)
Ефективність виявлення фотонів / Photon detection efficiency (PDE)
Це є мірою того, який відсоток падаючих фотонів було виявлено.
У випадку багатопіксельних лічильників фотонів (SiPM / MPPC), ефективність виявлення фотонів виражається наступним рівнянням. Ймовірність лавинного пробою (Pa) зростає з підвищенням зворотної напруги.

QE: квантова ефективність
У випадку багатопіксельних лічильників фотонів (SiPM / MPPC), ефективність виявлення фотонів виражається наступним рівнянням. Ймовірність лавинного пробою (Pa) зростає з підвищенням зворотної напруги.
fg: геометричний фактор (коефіцієнт заповнення)
Pa: ймовірність лавинного пробою
Pa: ймовірність лавинного пробою
Ефективність затвора
Ефективність затвора / Shutter Efficiency
Співвідношення, між кількістю світла, яке потрапляє на фоточутливий елемент за час експозиції при наявності затвора, до кількості світла без затвора.
Ефективність затвора / Shutter Efficiency
Співвідношення, між кількістю світла, яке потрапляє на фоточутливий елемент за час експозиції при наявності затвора, до кількості світла без затвора.
Ефективність збору фотоелектронів фотопомножувача
Ефективність збору фотоелектронів фотопомножувача / Collection efficiency of photomultiplier
Відношення числа фотоелектронів, що досягли першого диноду фотопомножувача, до числа електронів, які були емітовані з фотокатоду фотопомножувача.
Ефективність збору фотоелектронів фотопомножувача / Collection efficiency of photomultiplier
Відношення числа фотоелектронів, що досягли першого диноду фотопомножувача, до числа електронів, які були емітовані з фотокатоду фотопомножувача.
Ефективність каскаду підсилення фотопомножувача
Ефективність каскаду підсилення фотопомножувача / Amplifier stage efficiency of photomultiplier
Відношення числа електронів, які були емітовані з диноду фотопомножувача і прийняли участь у процесі подальшого помноження, до повного числа електронів, які вилетіли з диноду.
Ефективність каскаду підсилення фотопомножувача / Amplifier stage efficiency of photomultiplier
Відношення числа електронів, які були емітовані з диноду фотопомножувача і прийняли участь у процесі подальшого помноження, до повного числа електронів, які вилетіли з диноду.
























































