Новини

Всі новини

28 Серпня 2025

Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X

25 Липня 2025

Нові камери Kurokesu на базі IMX462

18 Червня 2025

Sheaumann Laser представляє нову серію лазерних діодів 15XX нм

Cтатті

Всі статті

Плазмонний біосенсор, реалізований завдяки резонансному квантовому тунелюванню електронів

Високошвидкісна 3D-візуалізація

Квантові голограми на основі метаповерхонь з гібридним заплутуванням

Головна-Про компанію-Глосарій-С

Глосарій

A Б B Г Д Е Є З І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Я
A B C D E F G H I J L M N O P Q R S T V W

C-діапазон, L-діапазон

C-діапазон, L-діапазон / C-band, L-band
Класифікація довжин хвиль для оптичного зв'язку. Спектральний діапазон для C-діапазону і L-діапазону охоплює від 1530 нм до 1625 нм. Інші назви смуг довжин хвиль залежно від спектрального діапазону використовуються, як показано нижче.
L-діапазон: 1565 нм до 1625 нм
C-діапазон: 1530 нм до 1565 нм
S-діапазон: 1460 нм до 1530 нм
E- діапазон: 1360 нм до 1460 нм
O-діапазон: 1260 нм до 1360 нм

Світлова анодна чутливість фотопомножувача

Світлова анодна чутливість фотопомножувача / Luminous anode sensitivity of photomultiplier
Відношення анодного фотоструму фотопомножувача до падаючого на фотокатод світлового потоку.

Світлова нестабільність фотоелектричного напівпровідникового приймача

Світлова нестабільність фотоелектричного напівпровідникового приймача / Light unstability
Зміна світлового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача, що відбулась внаслідок зміни умов освітленості при його зберіганні

Світлова чутливість фотокатоду

Світлова чутливість фотокатоду / Luminous photocathode sensitivity
Відношення фотоструму до падаючого на фотокатод світлового потоку.

Світловий (енергетичний) еквівалент темнового струму фотопомножувача

Світловий (енергетичний) еквівалент темнового струму фотопомножувача / Luminous (energy) equivalent of photomultiplier dark-current
Світловий (енергетичний) потік, який падає на фотокатод фотопомножувача і викликає анодний фотострум, що тотожний темновому струму.

Світловий (енергетичний) еквівалент шуму темнового струму фотопомножувача

Світловий (енергетичний) еквівалент шуму темнового струму фотопомножувача / Luminous (energy) equivalent of dark-current noise of photomultiplier
Світловий (енергетичний) потік, який падає на фотокатод фотопомножувача і викликає анодний фотострум, що тотожний ефективному значенню струму шуму темнового струму, який приведений до смуги частот 1 Гц.

Світловий (енергетичний) еквівалент шуму струму аноду фотопомножувача від фонового потоку

Світловий (енергетичний) еквівалент шуму струму аноду фотопомножувача від фонового потоку / Luminous (energy) equivalent of anode current noise of photomultiplier
Світловий (енергетичний) потік, який падає на фотокатод фотопомножувача і викликає анодний фотострум, що тотожний ефективному значенню струму шуму анодного фотоструму від фонового потоку, який приведений до смуги частот 1 Гц.

Світловий опір фотоелектричного напівпровідникового приймача

Світловий опір фотоелектричного напівпровідникового приймача - світловий опір ФЕНП / Resistance under illumination
Опір ФЕНП при дії на нього потоку випромінювання у діапазоні його спектральної чутливості

Секція зберігання (у фоточутливому приладі із зарядовим зв'язком з кадровим переносом)

Секція зберігання (у фоточутливому приладі із зарядовим зв'язком з кадровим переносом) / FT CCD storage section
Частина фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком з кадровим переносом закрита від падаючого світлового потоку і призначена для переносу до неї накопиченого світлочутливою областю заряду для наступного зчитування.

Середній/типовий термін використання (Лампа)

Середній/типовий термін використання (Лампа) / Average/typical life (Lamp)
Тривалість роботи лампи зазвичай визначається часом використання, за який вона досягає 50 % заявлених характеристик, включаючи вихідну енергію, дрейф і флуктуації. Використання лампи з тривалим терміном служби призводить до зниження витрат на технічне обслуговування обладнання і, як результат, до зниження експлуатаційних витрат. Завдяки унікальним електродним структурам з мінімальним зносом електродів, лампи Hamamatsu забезпечують безпрецедентно високу стабільність протягом тривалого часу роботи.

Синхронна оптична мережа (SONET), Синхронна цифрова ієрархія (SDH)

Синхронна оптична мережа, Синхронна цифрова ієрархія / SONET/SDH (Synchronous Optical Network/Synchronous Digital Hierarchy)
Це міжнародні стандарти високошвидкісних цифрових засобів зв'язку з використанням оптичних волокон. Синхронна оптична мережа - SONET (Synchronous Optical Network) є стандартом у Північній Америці, який встановлений Американським національним інститутом стандартів (ANSI). Синхронна цифрова ієрархія - SDH (Synchronous Digital Hierarchy) є міжнародним стандартизованим інтерфейсом Міжнародного союзу електрозв'язку (ITU), що розроблений на основі SONET. Незважаючи на відмінність у деяких мінорних точках, SONET і SDH можуть розглядатися як майже однакові стандарти і дозволяють їм працювати один з одним. SONET використовується в Північній Америці, а SDH використовується в основному в Європі.

Синхротронне випромінювання

Синхротронне випромінювання / Synchrotron radiation
Інтенсивне світло, яке генерується, коли електрони або позитрони прискорюються до швидкості світла і їх траєкторії згинаються у магнітних полях. Синхротронне випромінювання охоплює широкий спектральний діапазон від інфрачервоного світла до рентгенівських променів. Це світло більш ніж у сто мільйонів разів яскравіше світла, що випромінюється звичайними рентгенівськими генераторами. Синхротронне випромінювання використовується у дуже широкому колі галузей, включаючи медицину, фізику та хімію.

Система-в-корпусі

Система-в-корпусі / SiP (System In Package or System-in-a-package)
Технологія система-в корпусі (SiP, System In Package) - це комбінація в одному модулі відразу кількох активних і пасивних електронних компонентів, які виконують різні функції. Таким чином, один модуль, зібраний по технології система-в-корпусі, вирішує зразу кілька задач, які раніше виконувала ціла система. Безкорпусні інтегральні схеми в них можуть бути розміщені на підкладці вертикально або мозаїчно горизонтально на відміну від трохи менш щільних багатокристальних модулів (MCM, Multi-chip module) в яких безкорпусні інтегральні схеми розміщуються на підкладці горизонтально. Системи-в-корпусі також схожі на системи-на-кристалі (SoC), але при цьому менш щільно інтегровані і не знаходяться на одному напівпровідниковому кристалі. В системах-в-корпусі бескорпусні інтегральні схеми з'єднуються звичайними провідними з'єднаннями або паяними шинами поза межами кристалу на відміну від трохи більш щільних тримірних інтегральних схем, які з'єднують укладені кремнієві матриці з провідниками, що проходять через матрицю. Як приклад,, система-в корпусі може містити кілька мікросхем, таких як спеціалізований процесор, ОЗП (RAM), флеш-пам'ять, пасивні компоненти - резистори і конденсатори, і всі вони встановлені на одній підкладці. Це означає, що такий повноцінний функціональний блок може бути вбудований у пристрій, як його більш-менш значна частина. Це особливо важливо в умовах обмеженого простору.

Система з підтримкою кількох областей інтересу (областей, що розглядаються)

Система з підтримкою кількох областей інтересу (областей, що розглядаються) / MROI - multiple region of interest
Дана система дозволяє виділяти більше однієї області інтересу в зображенні, що отримується з датчика.

Система-на-кристалі (СнК) або Однокристальна система

Система-на-кристалі (СнК) або Однокристальна система / System-on-a-chip (SoC, SOC)
Система-на-кристалі (SoC або SOC) це електронна схема, яка виконує функції цілого пристрою (наприклад комп’ютера) і розміщена на одному чипі. В залежності від призначення вона може оперувати як цифровими сигналами, так і аналоговими, аналого-цифровими, а також частотами радіодіапазону. Типове використання в портативних системах і системах, що вбудовуються. Якщо для конкретного застосування неможливо створити систему-на-кристалі, альтернативою є система-в-корпусі, що містить ряд мікросхем в одному корпусі. У великих обсягах, система-на-кристалі вважається більш економічно ефективною, ніж система-в-корпусі, оскільки технологія їх виробництва простіша. Структурно типова система-на-кристалі складається з:
• одного або кількох мікроконтролерів, мікропроцесорів або ядер цифрової обробки сигналів (DSP). Система-на-кристалі, яка містить кілька процесорів, називається багатопроцесорною системою-на-кристалі (MPSoC);
• банка пам'яті, що складається з модулів ПЗП (ROM), ОЗП (RAM), ППЗПЕС (EEPROM) або флеш;
• джерел синхронізації, наприклад, кварцові генератори і схеми ФАПЧ (фазового автопідстроювання частоти);
• периферійних пристроїв, включаючи таймери, таймери реального часу і кола затримки після включення;
• зовнішніх інтерфейсів, включаючи такі галузеві стандарти, як USB, FireWire, Ethernet, USART, SPI;
• аналогових інтерфейсів, включаючи АЦП і ЦАП;
• регуляторів напруги та схем керування живленням.
До програмованих систем-на-кристалі часто входять також блоки програмованих логічних матриць (PLD), а до аналого-цифрових систем-на-кристалі, ще й програмовані аналогові блоки. Ці блоки з'єднані або власною, або стандартною шиною даних. Контролери DMA направляють дані безпосередньо між зовнішніми інтерфейсами і пам'яттю, обходячи ядро процесора і тим самим збільшуючи пропускну здатність системи-на-кристалі. Система-на-кристалі складається з описаних вище апаратних засобів і програмного забезпечення, яке керує мікроконтролером, мікропроцесором або DSP-ядрами, периферійними пристроями та інтерфейсами.

Система фазового автопідстроювання частоти

Система фазового автопідстроювання частоти / Phase-locked loop system
Система автоматичного регулювання, що підстроює частоту керованого генератора так, щоб вона була рівною частоті опорного сигналу. Регулювання здійснюється завдяки наявності негативного зворотного зв'язку. Вихідний сигнал керованого генератора порівнюється на фазовому детекторі з опорним сигналом, результат порівняння використовується для підстроювання керованого генератора.

Скупчення сцинтиляцій у полі зору ЕОП

Скупчення сцинтиляцій у полі зору ЕОП / Ion Cloud - Image Intensifier
Багатоелектронні сцинтиляції у полі зору ЕОП, які приводять до зниження робочої роздільної здатності ЕОП у зоні їх скупчення.

Спектр напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Спектр напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise voltage spectrum
Розподіл щільності середнього квадратичного значення напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача по частотам

Спектр струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Спектр струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise current spectrum
Розподіл щільності середнього квадратичного значення струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача по частотам

Спектральна половина ширини

Спектральна половина ширини / Spectral half-width
Повна ширина на половині вихідного максимуму спектру випромінювання, виражена в довжині хвилі (нм).

Спектральна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача

Спектральна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача / Spectral sensitivity
Залежність монохроматичної чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача від довжини хвилі випромінювання, що реєструється

Спектральна чутливість

Спектральна чутливість / Spectral sensitivity
Залежність чутливості від довжини хвилі випромінювання.

Спектральний відгук

Спектральний відгук / Spectral response
Співвідношення між рівнем падаючого світла і результуючим фотострумом (фотоелектрична чутливість) змінюється в залежності від довжини хвилі падаючого світла. Це співвідношення між фотоелектричною чутливістю і довжиною хвилі називається характеристикою спектрального відгуку і виражається через світлочутливість або квантову ефективність.

Спектральний розподіл

Спектральний розподіл / Spectral distribution
Діапазон довжин хвиль енергії, що випромінюється лампою. Діапазон довжин хвиль змінюється залежно від вхідної енергії, тиску газу, типу лампи (режим безперервної дії чи режим спалаху) і коефіцієнта пропускання матеріалу вікна.

Спектральна чутливість фотокатоду

Спектральна чутливість фотокатоду / Spectral photocathode sensitivity
Відношення фотоструму до падаючого на фотокатод монохроматичного потоку.

Спектральний еквівалент темнового струму фотопомножувача

Спектральний еквівалент темнового струму фотопомножувача / Spectral equivalent of photomultiplier dark-current
Монохроматичний потік випромінювання, який падає на фотокатод фотопомножувача і викликає анодний фотострум, що тотожний темновому струму.

Спектральний еквівалент шуму темнового струму фотопомножувача

Спектральний еквівалент шуму темнового струму фотопомножувача / Spectral equivalent of dark-current noise of photomultiplier
Монохроматичний потік випромінювання, який падає на фотокатод фотопомножувача і викликає анодний фотострум, що тотожний ефективному значенню струму шуму темнового струму, який приведений до смуги частот 1 Гц.

Спектральний еквівалент шуму струму аноду фотопомножувача від фонового потоку

Спектральний еквівалент шуму струму аноду фотопомножувача від фонового потоку / Spectral equivalent of anode current noise of photomultiplier
Монохроматичний потік випромінювання, який падає на фотокатод фотопомножувача і викликає анодний фотострум, що тотожний ефективному значенню струму шуму анодного фотоструму від фонового потоку, який приведений до смуги частот 1 Гц.

Спектральна чутливість фотопомножувача

Спектральна чутливість фотопомножувача / Spectral anode sensitivity of photomultiplier
Відношення анодного фотоструму фотопомножувача до падаючого на фотокатод монохроматичного потоку.

Стандарт MOST

Стандарт MOST / MOST (Media Oriented Systems Transport)
Стандарт інформаційної мережі в транспортних засобах, що використовується в основному в європейських автомобілях. Це мережа кільцевого типу, що використовує пластикові оптичні волокна (POF), а швидкість міжвузлового зв'язку - 25 Мбіт/с і 150 Мбіт/с. Крім застосування в автомобілях, MOST використовується у якості міжмережевих інформаційних каналів в аеропортах тощо.

Статичний опір фотоелектричного напівпровідникового приймача

Статичний опір фотоелектричного напівпровідникового приймача - статичний опір ФЕНП / Static resistance
Відношення постійної напруги ФЕНП до постійного струму, що проходить через нього

Стелс нарізання

Стелс нарізання / Stealth dicing
Стелс нарізання (Stealth Dicing) - новий метод, який розроблено Hamamatsu. У ньому використовується лазерний промінь для формування модифікованого шару всередині пластини і нарізання пластини на чіпи з високою якістю. Оскільки використовується світло, яке випромінюється всередину матеріалу, то на поверхні пластини не виникає теплове пошкодження. Стелс нарізання не призводить до будь-яких витрат на різання, тому кількість чіпів на пластині може бути збільшено до максимуму. Не виникає абсолютно ніякого забруднення, наприклад, відходи та сміття, які є неминучі в звичайних методах нарізання, і стелс нарізання це абсолютно сухий процес, тому немає потреби у використанні спеціально очищеної води.

Стигматичне зображення

Стигматичне зображення / Stigmatic image
Оптичне зображення, кожна точка якого відповідає одній точці об'єкту, що зображений оптичною системою.

Стоншення підкладки

Стоншення підкладки / Back Thinning
Зменшення товщини підкладки фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком для збільшення квантової ефективності.

Стробування

Стробування / Gate function
Стробування - це процес швидкого вимкнення входу детектора і його повторного включення. Його можна розглядати як електронний затвор.
Робота функції стробування
Процедура вимкнення детекторів зазвичай включає в себе порушення потоку електронів шляхом подачі напруги, яка є більш негативною, ніж джерело електронів, тим самим відштовхуючи електрони сигналу і вимикаючи детектор.

Структура «з наскрізним проколом»

Структура «з наскрізним проколом» / Reach-through structure
У структурі (наприклад: шар n⁺ -p -π -p⁺) концентрація домішок не є однорідною і в лавинному фотодіоді (APD) є найбільшою в області поблизу границі p-n-переходу. π-шар служить для поглинання світла, а носії, які генеруються в ньому, множаться в p-шарі. Для підвищення швидкодії лавинний фотодіод використовується при високій зворотній напрузі, яка прикладена таким чином, що π-шар (широкозонний) виснажується. Така структура називається структурою «з наскрізним проколом».

Струм аноду фотопомножувача (фотоелементу)

Струм аноду фотопомножувача (фотоелементу) / Anode current of photomultiplier (photocell)
Струм у колі аноду фотопомножувача (фотоелементу), рівний сумі анодного фотоструму і темнового струму.

Структурний шум

Структурний шум / Fixed-Pattern Noise
Шум, що обумовлений неоднаковістю пікселів або струмопровідних елементів матриці.

Струм витоку

Струм витоку / Leakage current

Струм між окремими електродами, одиночним електродом і групою електродів або групами електродів, який виміряно у статичному режимі роботи фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком при заданій різниці потенціалів між ними.

Струм короткого замикання

Струм короткого замикання / Short circuit current
Це вихідний струм, який тече в фотодіоді, коли опір навантаження дорівнює нулю. Це також зветься "чутливістю до білого світла", щоб диференціювати його від спектрального відгуку, і вимірюється світлом зі стандартної вольфрамової лампи при колірній температурі 2856 К (колірної температури). У технічних описах Hamamatsu вказується струм короткого замикання, виміряний при освітленості 100 лк.

Струм фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача

Струм фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача - струм фотосигналу ФЕНП / Photoelectric signal current
Зміна струму у колі ФЕНП, викликана дією на ФЕНП потоку випромінювання джерела фотосигналу

Струм шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Струм шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise current
Середнє квадратичне значення флуктуації загального струму фотоелектричного напівпровідникового приймача у заданій смузі частот

Струмова чутливість фототранзистору

Струмова чутливість фототранзистору / Current responsivity of the phototransistor
Відношення зміни електричного струму на виході фототранзистору до потоку випромінювання, що викликав цю зміну при холостому ході на вході і короткому замиканні на виході по змінному струму

Сцинтилятор

Сцинтилятор / Scintillator
Матеріал, який випромінює світло при дії радіації. Сцинтилятори поділяються на неорганічні і органічні. Добре відомими неорганічними сцинтиляторами є кристали або порошок CsI (йодиду цезію), легований невеликою кількістю активатора, такого як Tl (талій) для підвищення ефективності випромінення. Органічні сцинтилятори включають нафталін, антрацен, пластик, рідкий сцинтилятор і люмоген. Люмоген - це матеріал, який випромінює світло у відповідь на дію ультрафіолетових променів, тому його іноді наносять на ПЗЗ-матриці з фронтальним освітленням, що не мають чутливості до ультрафіолетового випромінення.

Сцинтиляційна плівка

Сцинтиляційна плівка / Phosphor sheet
Сцинтиляційна плівка включає флуоресцентні частинки порошку (такі ж, як і сцинтилятори), зв’язані смолою на несучому шарі плівки. Застосовується для радіаційного виявлення рентгенівських променів відносно низьких енергій тощо. Для виявлення рентгенівських променів сцинтиляційна плівка прикріпляється на датчики зображення.

Сцинтиляційний рахунок

Сцинтиляційний рахунок / Scintillation counting
Сцинтиляційний рахунок є одним з найбільш чутливих і ефективних методів виявлення випромінювання. У ньому використовується фотоелектронний помножувач, що з'єднаний зі сцинтилятором, який випромінює світло при впливі випромінювання. У виявленні випромінювання є два параметри, які необхідно вимірювати: енергія окремих частинок випромінювання і кількість частинок випромінювання. Коли частинки випромінювання потрапляють у сцинтилятор, вони викликають спалахи видимого світла у відповідь на дію кожної частинки. Рівень світла надзвичайно низький, але пропорційний енергії іонізуючої частинки. Оскільки окремі спалахи світла реєструються фотоелектронним помножувачем, то імпульси, отримані на виході фотоелектронного помножувача, містять інформацію про енергію та кількість імпульсів. Аналізуючи ці вихідні імпульси за допомогою багатоканального аналізатора (MCA), отримують розподіл висоти імпульсів (PHD) або енергетичний спектр, а також пораховану точну кількість іонізуючих частинок з різними рівнями енергії.

Сцинтиляції багатоелектронні у полі зору ЕОП

Сцинтиляції багатоелектронні у полі зору ЕОП / Scintillation - Image Intensifier
Точкові спалахи, яскравість яких перевищує яскравість, що створюється одиночним електроном, які спостерігаються на виході електронно-оптичного перетворювача і обумовлені іонно-електронною емісією, що виникає у результаті бомбардування фотокатоду іонами залишкових газів.