Глосарій

A Б B Г Д Е Є З І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Я
A B C D E F G H I J L M N O P Q R S T V W

Напівпровідниковий оптичний підсилювач (SOA)
Напруга випробувальна ЕОП
Напруга зміщення ЕОП
Напруга насичення фотоелементу
Напруга номінальна ЕОП
Напруга на колекторі фототранзистору
Напруга на базі фототранзистору
Напруга на емітері фототранзистору
Напруга на затворі переносу
Напруга пробою
Напруга фокусуюча ЕОП
Напруга фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача
Напруга холостого ходу
Напруга шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Насичення
Нахил люксомічної характеристики фоторезистору
Недисперсійний інфрачервоний метод виявлення (NDIR)
Низьковольтна диференціальна передача сигналів (LVDS)
Неоднорідність фотосигналу
Нерівномірність світлової анодної чутливості фотопомножувача
Нерівномірність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача по елементу
Нестабільність опору фотоелектричного напівпровідникового приймача
Нестабільність темнового струму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Нестабільність фотопомножувача (фотоелементу)
Нестабільність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Номінальна напруга живлення фотопомножувача

Напівпровідниковий оптичний підсилювач (SOA)

Напівпровідниковий оптичний підсилювач / SOA (semiconductor optical amplifier)
Оптичний підсилювач з використанням напівпровідника. Структура дуже схожа на лазерний діод Фабрі-Перо, але спроектована не для того, щоб забезпечувати віддзеркалення променів від одного краю. Напівпровідниковий оптичний підсилювач забезпечує посилення в широкому спектральному діапазоні і складається з меншої кількості компонентів, ніж волоконно оптичний підсилювач на оптичному волокні, легованому іонами ербію (Erbium-Doped Fiber Amplifier - EDFA), що робить його меншим за розмірами і знижує енергоспоживання.

Напруга випробувальна ЕОП

Напруга випробувальна ЕОП / Testing Voltage - Image Intensifier
Найбільша напруга, при якій електронно-оптичний перетворювач у заданому інтервалі часу повинен стабільно працювати.

Напруга зміщення ЕОП

Напруга зміщення ЕОП / Blocking Bias - Image Intensifier
Напруга на електронно-оптичному перетворювачі, при якій для заданої освітленості на вході яскравість залишкового світіння на виході досягає мінімального значення.

Напруга насичення фотоелементу

Напруга насичення фотоелементу / Saturation voltage of photocell
Мінімальне значення напруги живлення фотоелементу, збільшення якого не викликає суттєвої зміни фотоструму фотоелементу при постійному світловому або променистому потоці, що падає на фотокатод.

Напруга номінальна ЕОП

Напруга номінальна ЕОП / Operating Voltage - Image Intensifier
Напруга, при якій вимірюються і нормуються параметри електронно-оптичного перетворювача.

Напруга на колекторі фототранзистору

Напруга на колекторі фототранзистору / Collector voltage
Напруга між колектором і виводом, який є загальним для схеми включення фототранзистору

Напруга на базі фототранзистору
Напруга на базі фототранзистору / Base voltage
Напруга між базою і виводом, який є загальним для схеми включення фототранзистору

Напруга на емітері фототранзистору

Напруга на емітері фототранзистору / Emitter voltage
Напруга між емітером і виводом, який є загальним для схеми включення фототранзистору

Напруга на затворі переносу

Напруга на затворі переносу / Clock voltage
Напруга, що прикладена до затвору переносу фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком для переміщення зарядового пакету до вихідного пристрою.

Напруга пробою

Напруга пробою / Breakdown voltage
При підвищенні зворотної напруги, що подається на p-n-перехід, різке збільшення зворотного струму відбувається при певній напрузі. Ця напруга називається напругою пробою. В якості орієнтира для зручності при оцінці кремнієвого лавинного фотодіоду Hamamatsu, напруга, що викликає зворотний струм 100 мкА, визначається як напруга пробою.

Напруга фокусуюча ЕОП

Напруга фокусуюча ЕОП / Focusing Voltage - Image Intensifier
Напруга між фотокатодом і фокусуючим електродом ЕОП, при якій межа роздільної здатності ЕОП досягає максимуму.

Напруга фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача

Напруга фотосигналу фотоелектричного напівпровідникового приймача - напруга фотосигналу ФЕНП / Photoelectric signal voltage
Зміна напруги на ФЕНП, що викликана дією на ФЕНП потоку випромінювання джерела фотосигналу.
Примітка: так як по змінному струму опір зазвичай підключений паралельно ФЕНП, то напругу фотосигналу можна вимірювати на опорі

Напруга холостого ходу

Напруга холостого ходу / Open circuit voltage
Фотоелектрична напруга, що розвивається фотодіодом, коли опір навантаження нескінченний. Ця напруга холостого ходу залежить від рівня освітленості, але є майже постійною при низьких рівнях освітлення.

Напруга шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Напруга шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise voltage
Середнє квадратичне значення флуктуації напруги на заданому опорі у колі фотоелектричного напівпровідникового приймача у заданій смузі частот

Насичення

Насичення / Saturation
Стан максимального заповнення потенціальних ям фоточутливого приладу із зарядовим зв'язком носіями заряду без їх розтікання.

Нахил люксомічної характеристики фоторезистору

Нахил люксомічної характеристики фоторезистору / Illuminance-resistance characteristique slope
Тангенс кута лінійної ділянки люксомічної характеристики фоторезистору, побудованої у подвійному логарифмічному масштабі

Недисперсійний інфрачервоний метод виявлення (NDIR)

Недисперсійний інфрачервоний метод виявлення / NDIR (non dispersive infrared) detection method
Спосіб виявлення інфрачервоного світла на певних довжинах хвиль за допомогою смугового фільтра замість решітки або інших засобів для дифракції світла. Недисперсні інфрачервоні методи виявлення характеризуються своєю простою структурою. Деякі гази, такі як діоксид вуглецю, мають піки поглинання на специфічних інфрачервоних довжинах хвиль. Можна вимірювати компоненти і концентрацію газової суміші, пропускаючи газ між інфрачервоним джерелом світла і детектором та досліджуючи рівень поглинання при різних довжинах хвиль.

Низьковольтна диференціальна передача сигналів (LVDS)

Низьковольтна диференціальна передача сигналів / LVDS (low voltage differential signaling)
Це один з високошвидкісних цифрових інтерфейсів. Він відрізняється високою швидкістю передачі сигналу, низьким рівнем шуму, стійкістю до зовнішніх перешкод та низьким енергоспоживанням.

Неоднорідність фотосигналу

Неоднорідність фотосигналу / Photoresponse nonuniformity
Кожен з фотодіодів, розміщених у датчику зображення або приладу із зарядовим зв’язком (CCD), виготовлені так, щоб забезпечити рівномірну продуктивність, але кожен з них при цьому має невелику нерівномірність з точки зору чутливості. Це може бути пов'язано з кристалічними дефектами самої кремнієвої підкладки, варіаціями у процесі травлення кремнієвої пластини і дифузії в процесі виготовлення. Цю неоднорідність часто називають неоднорідністю фотосигналу.

Нерівномірність світлової анодної чутливості фотопомножувача

Нерівномірність світлової анодної чутливості фотопомножувача / Irregularity anode sensitivity of photomultiplier
Зміна анодного фотоструму фотопомножувача при освітленні різних ділянок робочої площі фотокатоду.

Нерівномірність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача по елементу

Нерівномірність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача по елементу / Spacing response non-uniformity
Різність найбільшого і найменшого значень чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача S(x, у) виміряних при переміщенні в межах фоточутливого елементу оптичного зонда з заданим спектральним розподілом випромінювання і діаметром, віднесена до середнього значення чутливості

Нестабільність опору фотоелектричного напівпровідникового приймача

Нестабільність опору фотоелектричного напівпровідникового приймача / Resistance unstability coefficient
Відношення максимального відхилення опору фотоелектричного напівпровідникового приймача від його середнього значення при постійній температурі і напрузі живлення протягом заданого інтервалу часу до середнього значення

Нестабільність темнового струму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Нестабільність темнового струму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Dark current unstability coefficient
Відношення максимального відхилення темнового струму фотоелектричного напівпровідникового приймача від його середнього значення протягом заданого інтервалу часу при постійних температурі і напрузі живлення приймача до середнього значення

Нестабільність фотопомножувача (фотоелементу)

Нестабільність фотопомножувача (фотоелементу) / Instability of photomultiplier (photocell)
Зміна анодного фотоструму у процесі роботи фотопомножувача (фотоелементу) при стабільному потоці випромінювання та постійних робочих умовах.

Нестабільність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача

Нестабільність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача / Response unstability coefficient
Відношення максимального відхилення напруги фотосигналу від середнього значення протягом заданого інтервалу часу при постійних значеннях потоку випромінювання, температури і постійній напрузі живлення фотоелектричного напівпровідникового приймача до середнього значення

Номінальна напруга живлення фотопомножувача

Номінальна напруга живлення фотопомножувача / Rated supply voltage of photomultiplier
Напруга між фотокатодом і анодом, при якій забезпечується задана світлова або спектральна анодна чутливість фотопомножувача.