Новини

Всі новини

28 Серпня 2025

Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X

25 Липня 2025

Нові камери Kurokesu на базі IMX462

18 Червня 2025

Sheaumann Laser представляє нову серію лазерних діодів 15XX нм

Cтатті

Всі статті

Плазмонний біосенсор, реалізований завдяки резонансному квантовому тунелюванню електронів

Високошвидкісна 3D-візуалізація

Квантові голограми на основі метаповерхонь з гібридним заплутуванням

Головна-Про компанію-Глосарій-Ф

Глосарій

A Б B Г Д Е Є З І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Я
A B C D E F G H I J L M N O P Q R S T V W

Фазове тремтіння фронту цифрового сигналу

Фазове тремтіння фронту цифрового сигналу / Jitter
Небажані фазові та/або частотні випадкові відхилення сигналу, що передається. Виникають внаслідок нестабільності задавального генератора, зміни параметрів лінії передачі у часі і різної швидкості розповсюдження частотних складових одного й того ж сигналу.

Фактор заповнення

Фактор заповнення / Fill factor
Це відношення «площі ефективної області, наприклад фоточутливої області, що виключає нечутливу ділянку (наприклад, область електричного підключення)» до площі всієї області.

Фактор Фано

Фактор Фано / Fano factor

Середнє число (J) електронно-діркових пар, що генеруються в кристалі інцидентним випромінюванням, виражається наступним рівнянням:

E: енергія випромінювання
ε: середня енергія, необхідна для генерації пари електрон-дірка
У цьому випадку стандартне відхилення (σ: шум Фано), що представляє статистичні флуктуації числа електронно-діркових пар, виражається наступним рівнянням:

F у цьому рівнянні це коефіцієнт для виправлення відхилень від розподілу Пуассона, що називається фактором Фано

Філ-фактор

Філ-фактор / Fill-Factor
Відношення площ світлочутливої і несвітлочутливої поверхонь пікселя.

Флуктуація часу проходження сигналу у фотопомножувачі

Флуктуація часу проходження сигналу у фотопомножувачі / Transition-time jitter in photomultiplier
Статистичний розподіл інтервалів часу між моментом появи сигналу на виході фотопомножувача і моментом надходження на фотокатод дельта-імпульсу випромінювання, що викликає появу з фотокатоду не більше одного фотоелектрону.

Фокальний затвор

Фокальний затвор / Focal-plane shutter
Фокальний затвор, як випливає з назви, розміщується поблизу фокальної площини, тобто безпосередньо перед світлочутливим матеріалом. По принципу дії фокальні затвори зазвичай відносяться до шторних (шторно-щільових). Такий затвор являє собою пару шторок (з прогумованої тканини або тонких металевих ламелей). Затвор приводиться у дію системою пружин або електродвигуном. У зведеному стані фотоматеріал перекритий першою шторкою. При спуску затвору вона зсувається під дією пружини, відкриваючи шлях світловому потоку. По закінченню заданого часу експозиції світловий потік перекривається другою шторкою. На коротких видержках друга шторка починає рух ще до того, як перша повністю відкриє кадрове вікно. Щілина, що утворюється між шторками, пробігає вздовж кадрового вікна, послідовно освітлюючи його. Тривалість видержки визначається шириною щілини. Перед початком зйомки наступного кадру затвор зводиться заново, при цьому шторки повертаються у вихідне положення таким чином, що щілина між ними не утворюється. Затвор може бути з вертикальним або горизонтальним ходом шторок. Горизонтальний хід, як правило мають затвори з прогумованими шторками, вертикальний - з ламелями.

Фокусна відстань

Фокусна відстань / Focal length
Фізична характеристика оптичної системи. Для центрованої оптичної системи, що складається зі сферичних поверхонь, описує спроможність збирати промені в одну точку при умові, що ці промені йдуть з нескінченності паралельним пучком паралельно оптичній осі.

Фокусуючий електрод ЕОП

Фокусуючий електрод ЕОП / Focusing Electrode - Image Intensifier
Електрод електронно-оптичного перетворювача, який призначений для створення допоміжного електричного поля, що покращує фокусування електронного зображення.

Фонова характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Фонова характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise voltage-background radiant flux characteristic
Залежність напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача від немодульованого потоку випромінювання фону

Фонова характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення

Фонова характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення / Specific detectivity-background radiant flux characteristic
Залежність питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення від немодульованого потоку випромінювання фону

Фонова характеристика порогу чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача в одиничній смузі частот

Фонова характеристика порогу чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача в одиничній смузі частот / NEP-background radiant flux characteristic
Залежність порогу чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача в одиничній смузі частот від потоку випромінювання фону

Фонова характеристика світлового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача

Фонова характеристика світлового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача / Resistance under illumination-background radiant flux characteristic
Залежність опору фотоелектричного напівпровідникового приймача від немодульованого потоку випромінювання фону

Фонова характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Фонова характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise current-background radiant flux characteristic
Залежність струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача від немодульованого потоку випромінювання фону

Фонова характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача

Фонова характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача / Responsivity-background radiant flux characteristic
Залежність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача від немодульованого потоку випромінювання фону

Фотодіод

Фотодіод / Photodiode
Напівпровідниковий діод з р-п переходом між двома типами напівпровідника або між напівпровідником і металом, у якому поглинання випромінювання, яке відбувається у безпосередній близькості до переходу, викликає фотогальванічний ефект

p-i-п фотодіод

p-i-п фотодіод / Pin-Photodiode
Фотодіод, діркова і електронна області якого розділені шаром матеріалу з провідністю, що близька до власної

Фотодіод с бар’єром Шотткі

Фотодіод с бар’єром Шотткі / Schottky-Barrier-Photodiode
Фотодіод, запираючий шар якого утворений контактом напівпровідника з металом

Фотодіод с гетеропереходом

Фотодіод с гетеропереходом / Heterojunction photodiode
Фотодіод, електронно-дірковий перехід якого утворений двома напівпровідниковими матеріалами з різною шириною забороненої зони.
Примітка. Перехід може бути утворений складними напівпровідниковими з’єднаннями зі змінною шириною забороненої зони

Фотоелектричний детектор

Фотоелектричний детектор / Photovoltaic detector
Напівпровідниковий фотодатчик, що генерує електричний струм або напругу, коли світло потрапляє на його PN-перехід. Він здатний працювати без подачі живлення з зовнішнього джерела. Фотоелектричні детектори включають Si, InGaAs, GaAsP, GaAs, InAs, InAsSb і InSb.

Фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання

Фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання / Photoelectric semiconductor detector
Фоточутливий напівпровідниковий прилад, принцип дії якого заснований на внутрішньому фотоефекті у напівпровіднику

Фотоелектронний приймач випромінювання

Фотоелектронний приймач випромінювання / Photoelectron radiation detector
Приймач оптичного випромінювання, у якому перетворення оптичного випромінювання в електричний сигнал здійснюється з використанням потоку вільних електронів або електронного променю у вакуумному або газонаповненому об'ємі.

Фотоелемент

Фотоелемент / Photocell
Електровакуумний прилад, що перетворює енергію оптичного випромінювання в електричну, зазвичай з перетворенням оптичного сигналу в електричний, і такий, що містить фотокатод і анод.

Фотоефект

Фотоефект / Photoelectric effect
Явище, в якому речовина поглинає світло і генерує вільні електрони.

Фотокатод

Фотокатод / Photocathode
Катод електровакуумного приладу, дія якого заснована на використанні явища фотоелектронної емісії.

Фотокатод алмазний

Фотокатод алмазний
Алмазний фотокатод має багатошарову конструкцію з послідовно розміщених шарів монокристалічного синтетичного алмазу. Він містить шар (підкладку) з монокристалічного синтетичного алмазу, оптично прозорий для вхідного випромінювання, сильно легований донорами або акцепторами шар, у якому відбувається поглинання вхідного випромінювання і утворення фотоелектронів; транспортний шар, через який здійснюється рух (дифузія і дрейф) фотоелектронів до поверхні та їх термалізація, а також поверхневий шар, що має p-тип провідності зі зниженою роботою виходу, який забезпечує ефективну емісію фотоелектронів у вакуум та перешкоджає заряду емітуючої поверхні. При цьому до транспортного шару може бути прикладена напруга, що сприяє дрейфу фотоелектронів до поверхні фотокатоду. Алмазний фотокатод має високу квантову ефективність в ультрафіолетовій і видимій областях спектру (>250 нм) і швидкодією, здатний тривалий час стабільно працювати при відносно низькому рівні вакууму 10-10 Torr і високих струмах емісії, має високу теплопровідність, що забезпечує ефективний тепловідвід і охолодження фотокатоду, і може емітувати пучки фотоелектронів з малим енергетичним розкидом за рахунок їх термалізації у транспортному шарі. Алмазний фотокатод використовується у фотоінжекторах електронів для прискорювачів кільватерного типу, лазерах на вільних електронах, а також для електронно-оптичного перетворення сигналів у різних електронних пристроях, які працюють у видимій і ультрафіолетовій областях спектру.

Фотокатод. Матеріали

Фотокатод. Матеріали / Photocathode materials
Дивись: Матеріали фотокатодів

Фотокатод. Типи

Фотокатод. Типи / Types of Photocathode
Дивись: Тип катоду

Фотометрична чутливість

Фотометрична чутливість / Photometric sensitivity
Амплітуда сигналу, утвореного світловим потоком в 1 люкс за секунду. Вимірюється у В/(люкс*сек).

Фотонний еквівалент (p.e.)

Фотонний еквівалент / p.e. (photon equivalent)
Ця величина є рівень виявлення для фотону. Імпульс рівний 1 p.e., як приклад, еквівалентний імпульсу, отриманому при виявленні одного фотона.

Фотопомножувач

Фотопомножувач / Photomultiplier
Електровакуумний прилад, що перетворює енергію оптичного випромінювання в електричну, зазвичай з перетворенням оптичного сигналу в електричний, і такий, що містить фотокатод, вторинно електронний помножувач і анод.

Фотоприймальний пристрій

Фотоприймальний пристрій - ФПП / Receiving photoelectric device
Фоточутливий напівпровідниковий прилад, що складається з фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання і схеми попереднього підсилювання фотосигналу у гібридному або інтегральному виконанні, об’єднаних у єдину конструкцію

Фотопровідний детектор

Фотопровідний детектор / Photoconductive detector
Фотодетектор, який збільшує свою електропровідність при освітленні світлом. Для роботи фотопровідного детектора необхідний зовнішній блок живлення. Фотопровідні детектори включають MCT (HgCdTe), PbS і PbSe.

Фоторезистор

Фоторезистор / Photoconductive cell
Фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, принцип дії якого заснований на ефекті фотопровідності

Фотострум фотоелектричного напівпровідникового приймача

Фотострум фотоелектричного напівпровідникового приймача - фотострум ФЕНП / Photocurrent
Струм, що проходить через ФЕНП при вказаній напрузі на ньому, обумовлений тільки дією потоку випромінювання з заданим спектральным розподілом.
Примітка: крім рівноважного теплового випромінювання при заданій температурі в ефективному полі зору ФЕНП

Фотострум фотопомножувача (фотоелементу)

Фотострум фотопомножувача (фотоелементу) / Photocurrent of photomultiplier (photocell)
Струм у колі фотокатоду фотопомножувача (фотоелементу), що виник під дією падаючого на фотокатод випромінювання.

Фототранзистор

Фототранзистор / Phototransistor
Транзистор, у якому використовується фотоелектричний ефект

Фоточутлива область

Фоточутлива область / Photosensitive area
Область в пристрої, яка фактично збирає світло і перетворює її на електрони. Вироби Hamamatsu мають зазвичай світлочутливі ділянки наступних форм: круглі, лінійні (одновимірні) і прямокутні (двовимірні). Фотоелектронні помножувачі (PMT) бувають круглі, квадратні або гексагональні.

Фоточутливість

Фоточутливість / Photosensitivity
Відношення фотоструму, вираженого в амперах (А), або вихідної напруги, вираженої у вольтах (В), до рівня падаючого світла, вираженого у ватах (Вт). Фоточутливість представляється як абсолютна чутливість (А/Вт або В/Вт) або як відносна чутливість (%) до піку спектральної чутливості, нормована до 100. Зазвичай діапазон спектрального відгуку визначається як діапазон, в якому відносна чутливість вище 5 % або 10 % піку спектральної чутливості.

Фоточутливий елемент фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання

Фоточутливий елемент фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання - Фоточутливий елемент / Detector sensitive element
Частина монокристалу або напівпровідникового шару, що має якості внутрішнього фотоефекту, має певну форму, розташування і геометричні розміри і призначена для прийому оптичного випромінювання

Фоточутливий напівпровідниковий прилад

Фоточутливий напівпровідниковий прилад / Photosensitive semiconductor device
Напівпровідниковий прилад, чутливий до електромагнітного випромінювання у видимій, інфрачервоній та (або) ультрафіолетовій областях спектру

Фоточутливий напівпровідниковий сканістор

Фоточутливий напівпровідниковий сканістор
Фоточутливий напівпровідниковий прилад, принцип дії якого заснований на внутрішньому безперервному скануванні поля зображення при подачі на керуючі електроди приладу пилоподібної напруги розгортки

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з захисним діодом

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з захисним діодом / Hi-Rho charge-coupled device
Різновид фоточутливих приладів із зарядовим зв'язком с глибоким збідненням, у яких для подавлення струму між передньою и задньою поверхнями додатково введено захисний діод.

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з зворотною засвіткою

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з зворотною засвіткою / Back-side illuminated charge-coupled device
Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком, з фоточутливою областю, що розташована з боку підкладки.

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з кадровим переносом

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з кадровим переносом / Frame transfer charge-coupled device
Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком, що має конгруентні секцію накоплення і захищену від світла секцію зберігання.

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з рядково-кадровим переносом

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з рядково-кадровим переносом / Interline charge-coupled device
Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком, секція накоплення якого розділена вертикальними регістрами зсуву, захищеними від світла.

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з фронтальною засвіткою

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з фронтальною засвіткою / Front-side illuminated charge-coupled device
Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком з фоточутливою областю, що розташована з боку управляючих електродів.

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком, ПЗЗ-матриця

Фоточутливий прилад із зарядовим зв'язком, ПЗЗ-матриця / Сharge-coupled device sensor
Прилад з переносом заряду, який призначено для перетворення енергії оптичного випромінювання в електричний сигнал, у якому зарядові пакети переміщаються до вихідного пристрою внаслідок направленого переміщення потенціальних ям, і фоточутливі елементи організовані у матрицю по рядкам і стовпцям.

Фоточутливий прилад з зарядовою інжекцією (ФПЗІ)

Фоточутливий прилад з зарядовою інжекцією (ФПЗІ) / CID (Charge Injection Device) sensor
Прилад з зарядовою інжекцією, що призначений для перетворення енергії оптичного випромінювання в електричний сигнал, у якому зарядові пакети зчитуються за допомогою реєстрації зміни напруги при їх переході між двома секціями - секцією накопичення і секцією зчитування, і фоточутливі елементи організовані в матрицю по рядкам и стовпцям.