Новини

Всі новини

28 Серпня 2025

Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X

25 Липня 2025

Нові камери Kurokesu на базі IMX462

18 Червня 2025

Sheaumann Laser представляє нову серію лазерних діодів 15XX нм

Cтатті

Всі статті

Плазмонний біосенсор, реалізований завдяки резонансному квантовому тунелюванню електронів

Високошвидкісна 3D-візуалізація

Квантові голограми на основі метаповерхонь з гібридним заплутуванням

Головна-Про компанію-Глосарій-Т

Глосарій

A Б B Г Д Е Є З І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Я
A B C D E F G H I J L M N O P Q R S T V W

Таблиця пошуку (LUT)

Таблиця пошуку / Lookup table (LUT)
Структура даних, яка замінює складний процес обчислення на простий масив для спрощення процесу. Час обробки обчислення може бути зменшено шляхом збереження масиву попередньо розрахованих значень і вилучення необхідних даних з матриці, якщо це необхідно.

Темновий опір

Темновий опір / Dark resistance
Це опір фотопровідного пристрою в темному стані.

Темновий опір фотоелектричного напівпровідникового приймача

Темновий опір фотоелектричного напівпровідникового приймача - темновий опір ФЕНП / Dark resistance
Опір ФЕНП при відсутності падаючого на нього випромінювання у діапазоні його спектральної чутливості

Темновий рахунок

Темновий рахунок / Dark count
У багатопіксельному лічильнику фотонів (SiPM / MPPC) або лавинному фотодіоді (APD), що використовуються в режимі Гейгера, термічно згенеровані темнові носії струму посилюються і виводяться як темнові імпульси. Ці темнові імпульси є однією з причин помилок детектування. Кількість темнових імпульсів у секунду - кількість темнових одиниць [одиниця вимірювання: cps (відлік в секунду)]. Хоча збільшення зворотної напруги підвищує ефективність виявлення, воно також збільшує кількість темнових одиниць. Кількість темнових одиниць може бути знижена шляхом зниження температури.

Темновий струм колектор-емітер фототранзистору

Темновий струм колектор-емітер фототранзистору / Collector-emitter dark current of a phototransistor
Струм у колі колектору при відсутності струму в базі, що протікає при певних умовах роботи і при відсутності потоку випромінювання у діапазоні спектральної чутливості

Темновий струм колектор-база фототранзистору

Темновий струм колектор-база фототранзистору / Collector-base dark current of a phototransistor
Струм у колі колектору, що протікає при відсутності струму у емітері при певних умовах роботи і при відсутності потоку випромінювання у діапазоні спектральної чутливості

Темновий струм емітер-база фототранзистору

Темновий струм емітер-база фототранзистору / Emitter-base dark current of a phototransistor
Темновий струм у колі емітеру, що протікає при відсутності струму у колекторі при певних умовах роботи і при відсутності потоку випромінювання у діапазоні спектральної чутливості

Темновий струм емітер-колектор фототранзистору

Темновий струм емітер-колектор фототранзистору / Emitter-collector dark current of a phototransistor
Темновий струм у колі емітеру, що протікає при відсутності струму у базі при певних умовах роботи і при відсутності потоку випромінювання у діапазоні спектральної чутливості

Темновий струм фотопомножувача (фотоелементу)

Темновий струм фотопомножувача (фотоелементу) / Dark current of photomultiplier (photocell)
Струм у колі аноду фотопомножувача (фотоелементу) при відсутності випромінювання, падаючого на фотокатод.

Темновий струм фотоелектричного напівпровідникового приймача

Темновий струм фотоелектричного напівпровідникового приймача - темновий струм ФЕНП / Dark current
Струм, що протікає через ФЕНП при вказаній напрузі на ньому при відсутності потоку випромінювання у діапазоні спектральної чутливості

Темновий шум (Темновий струм)

Темновий шум (Темновий струм) / Dark noise (Dark current)
Електричний струм, що протікає через фоточутливий елемент, при відсутності падаючих фотонів.

Температурна характеристика дрейфу нульової точки координатного фотодіоду

Температурна характеристика дрейфу нульової точки координатного фотодіоду / Zero drift-temperature characteristic
Залежність зміщення нульової точки координатного фотодіоду від його температури

Температурна характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Температурна характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise voltage-temperature characteristic
Залежність напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача від його температури

Температурна характеристика порогу чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача в одиничній смузі частот

Температурна характеристика порогу чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача в одиничній смузі частот / NEP-temperature characteristic
Залежність порогу чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача в одиничній смузі частот від його температури

Температурна характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення

Температурна характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення / Specific detectivity-temperature characteristic
Залежність питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення від його температури

Температурна характеристика світлового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача

Температурна характеристика світлового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача / Resistance under illumination-temperature characteristic
Залежність світлового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача від його температури

Температурна характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Температурна характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Noise current-temperature characteristic
Залежність струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача від його температури

Температурна характеристика темнового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача

Температурна характеристика темнового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача / Dark resistance-temperature characteristic
Залежність темнового опору фотоелектричного напівпровідникового приймача від його температури

Температурна характеристика темнового струму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Температурна характеристика темнового струму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Dark current-temperature characteristic
Залежність темнового струму фотоелектричного напівпровідникового приймача від його температури

Температурна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача

Температурна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача / Responsivity-temperature characteristic
Залежність чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача від його температури

Температурний коефіцієнт робочої напруги лавинного фотодіоду

Температурний коефіцієнт робочої напруги лавинного фотодіоду / Operating voltage temperature coefficient
Відношення зміни робочої напруги, при якій коефіцієнт множення фотоструму досягає первинного значення, до зміни температури и робочої напруги при початковій температурі.
Примітка: при малих змінах температури отримують динамічний температурний коефіцієнт робочої напруги; якщо діапазон зміни температур великий - статичний температурний коефіцієнт робочої напруги

Температурний коефіцієнт фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача

Температурний коефіцієнт фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Photocurrent-temperature coefficient
Відношення відсоткової зміни фотоструму фотоелектричного напівпровідникового приймача до абсолютної зміни температури зовнішнього середовища, що викликала її, при заданій освітленості (опроміненості)

Терагерцова хвиля

Терагерцова хвиля / Terahertz wave
Електромагнітні хвилі на частотах близько 1 ТГц (довжина хвилі: 300 мкм). Терагерцові хвилі проходять через папір, дерево і пластик, але не проходять через метал і воду. Терагерцову смугу називають областю відбитку речовин.

Термінальна ємність

Термінальна ємність / Terminal capacitance
У фотодіоді p-n-перехід можна розглядати як вид конденсатора. Ця ємність називається ємністю переходу і є важливим параметром при визначенні швидкості відгуку. У схемах перетворення струму в напругу, що використовують операційний підсилювач, ємність переходу може бути причиною піку підсилення. Hamamatsu вказує кінцеву ємність з урахуванням ємності переходу, а також розсіяну ємність корпусу.

Термістор

Термістор / Thermistor
Термочутливий резистор, що значно змінює свій електричний опір при зміні температури. Терморезистори використовуються для вимірювання температури.

Термоелектричний охолоджувач

Термоелектричний охолоджувач / Thermoelectric cooler
Коли електричний струм протікає через з'єднання двох різнорідних електричних провідників, поглинання тепла (або генерація тепла) відбувається з одного боку, тоді як теплота (або поглинання тепла) відбувається з іншого боку. Термоелектричні охолоджувачі використовують цей ефект (відомий як ефект Пельтьє). Зміна напрямку електричного струму змінює поглинанням тепла на генерацією.

Технологія монтажу методом перевернутого кристалу

Технологія монтажу методом перевернутого кристалу / Flip chip bonding
Методика з'єднання мікросхеми з виступами, що прикріплені до електродів на верхній поверхні мікросхеми, шляхом розміщення мікросхеми догори дном на корпус або іншу мікросхему для утворення електричних з'єднань. Монтаж методом перевернутого кристалу дозволяє набагато зменшити загальну збірку.

Тип катоду

Тип катоду / Cathode type
У фотоелектронних помножувачах використовується два види фотокатодів: працюючі в режимі пропускання і працюючі в режимі відбиття. Катоди, що працюють в режимі пропускання, є напівпрозорими і зазвичай використовуються в фотоелектронних помножувачах з торцевим вікном. Фотоелектронні помножувачі з торцевим вікном, у яких фотокатод нанесено на внутрішню поверхню вхідного вікна, забезпечують кращу однорідність, ніж фотоелектронні помножувачі з боковим вікном. Фотоелектронні помножувачі з боковим вікном, зазвичай мають катоди, що працюють в режимі відбиття і є непрозорими.
Тип катоду.png

Товстий кремній

«Товстий» кремній / «Bulk» silicon
Різновид надчистого високоомного кремнію.

Трансімпедансний підсилювач (TIA)

Трансімпедансний підсилювач / Transimpedance amplifier (TIA)
Підсилювач, який перетворює невеликий фотострум в вихідну напругу. Коефіцієнт підсилення підсилювача зазвичай задається як коефіцієнт підсилення в одиницях Вольт/Ампер.

Трековий детектор (вершинний детектор)

Трековий детектор (вершинний детектор) / Tracking detector (vertex detector)
Детектор в основному використовується в експериментах фізики елементарних частинок з метою відстеження напрямку руху і процесів розпаду вторинних частинок, що утворюються в результаті зіткнень частинок високої енергії. Трекові детектори встановлюються в місцях, що оточують точку, де стикаються частинки.

Тривалість імпульсної характеристики фотопомножувача (фотоелементу)

Тривалість імпульсної характеристики фотопомножувача (фотоелементу) / Pulse response width of photomultiplier (photocell)
Інтервал часу, протягом якого імпульсна характеристика фотопомножувача (фотоелементу) перевищує заданий рівень від свого максимального значення.

Точність підтримування робочої напруги лавинного фотодіоду

Точність підтримування робочої напруги лавинного фотодіоду / Operating voltage constant keeping accuracy
Відносна зміна робочої напруги, при якій коефіцієнт множення фотоструму змінюється у заданих межах