Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
28 Серпня 2025
Нові генератори сигналів Siglent - SDG3000X
25 Липня 2025
Нові камери Kurokesu на базі IMX462
Глосарій
Вбудоване коло зчитування
Вершина заломлюючої (відбиваючої) поверхні
Відбивач тип
Відкритий електрод
Відновлення синхронізації і даних (CDR)
Відносна апертура
Відносна спектральна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Відносна спектральна чутливість фотокатоду
Відношення сигнал/шум
Відхиляючі пластини ЕОП
Віньєтуюча діафрагма
Вірогідність бітових помилок
Вивід фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Висока роздільна здатність
Вихід фотоприймального пристрою
Вихідна вольт-амперна характеристика фототранзистору
Вихідна енергетична характеристика фототранзистору
Вихідна зіниця
Вихідна чутливість
Власна амплітудна роздільна здатність фотопомножувача
Волоконно-оптична пластина (FOP)
Волоконно-оптична пластина з сцинтилятором (FOS)
Волоконно-оптичний підсилювач на оптичному волокні, легованому іонами ербію
Вольт-амперна характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика коефіцієнту множення лавинного фотодіоду
Вольтова характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення
Вольтова характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова чутливість фототранзистору
Вхідна вольт-амперна характеристика фототранзистору
Вхідна енергетична характеристика фототранзистору
Вхідне вікно фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Вхідне (вихідне) вікно
Вхідний сигнал, що еквівалентний фоновому
Вершина заломлюючої (відбиваючої) поверхні
Відбивач тип
Відкритий електрод
Відновлення синхронізації і даних (CDR)
Відносна апертура
Відносна спектральна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Відносна спектральна чутливість фотокатоду
Відношення сигнал/шум
Відхиляючі пластини ЕОП
Віньєтуюча діафрагма
Вірогідність бітових помилок
Вивід фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Висока роздільна здатність
Вихід фотоприймального пристрою
Вихідна вольт-амперна характеристика фототранзистору
Вихідна енергетична характеристика фототранзистору
Вихідна зіниця
Вихідна чутливість
Власна амплітудна роздільна здатність фотопомножувача
Волоконно-оптична пластина (FOP)
Волоконно-оптична пластина з сцинтилятором (FOS)
Волоконно-оптичний підсилювач на оптичному волокні, легованому іонами ербію
Вольт-амперна характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика коефіцієнту множення лавинного фотодіоду
Вольтова характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення
Вольтова характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова чутливість фототранзистору
Вхідна вольт-амперна характеристика фототранзистору
Вхідна енергетична характеристика фототранзистору
Вхідне вікно фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Вхідне (вихідне) вікно
Вхідний сигнал, що еквівалентний фоновому
Вбудоване коло зчитування
Вбудоване коло зчитування / Readout integrated circuit (ROIC)
Електронне коло, що слугує для зчитування сигналів з детектора, вбудове безпосередньо в матрицю. Також воно іноді зветься мультиплексором.
Вбудоване коло зчитування / Readout integrated circuit (ROIC)
Електронне коло, що слугує для зчитування сигналів з детектора, вбудове безпосередньо в матрицю. Також воно іноді зветься мультиплексором.
Вершина заломлюючої (відбиваючої) поверхні
Вершина заломлюючої (відбиваючої) поверхні / Surface Vertex
Точка перетину заломлюючої (відбиваючої) поверхні з оптичною віссю.
Вершина заломлюючої (відбиваючої) поверхні / Surface Vertex
Точка перетину заломлюючої (відбиваючої) поверхні з оптичною віссю.
Відбивач тип
Відбивач тип / Reflector type
Ксенонові імпульсні лампи обладнані вбудованим дзеркальним відбивачем, що дає змогу досягати освітленості в чотири рази більшої, ніж у звичайних ламп. Можливий вибір дзеркальних відбивачів двох типів:
· Конвергентний: відбиті промені світла нахиляються один до одного
· Коліматорний: кожен промінь відбитого світла паралельний іншим
Відбивач тип / Reflector type
Ксенонові імпульсні лампи обладнані вбудованим дзеркальним відбивачем, що дає змогу досягати освітленості в чотири рази більшої, ніж у звичайних ламп. Можливий вибір дзеркальних відбивачів двох типів:
· Конвергентний: відбиті промені світла нахиляються один до одного
· Коліматорний: кожен промінь відбитого світла паралельний іншим
Відкритий електрод
Відкритий електрод / Open electrode
Особливий тип електроду в фоточутливому приладі із зарядовим зв'язком, що має гранично малу площу поверхні для зменшення поглинання ультрафіолетового випромінювання.
Відкритий електрод / Open electrode
Особливий тип електроду в фоточутливому приладі із зарядовим зв'язком, що має гранично малу площу поверхні для зменшення поглинання ультрафіолетового випромінювання.
Відновлення синхронізації і даних (CDR)
Відновлення синхронізації і даних / CDR (clock and data recovery)
Пристрій для відновлення синхронізації і даних. Вихідні дані з CDR не зовсім співпадають зі вхідними даними, і синхронізовані з тимчасовою синхронізацією відновлених тактових імпульсів.
Відновлення синхронізації і даних / CDR (clock and data recovery)
Пристрій для відновлення синхронізації і даних. Вихідні дані з CDR не зовсім співпадають зі вхідними даними, і синхронізовані з тимчасовою синхронізацією відновлених тактових імпульсів.
Відносна апертура
Відносна апертура / Relative Aperture
Абсолютне значення відношення подвоєної відстані від оптичної осі до точки заломлення або відбиття меридіонального променя, паралельного оптичній осі у просторі предметів та такого, що проходить через край апертурної діафрагми, до задньої фокусної відстані системи.
Відносна апертура / Relative Aperture
Абсолютне значення відношення подвоєної відстані від оптичної осі до точки заломлення або відбиття меридіонального променя, паралельного оптичній осі у просторі предметів та такого, що проходить через край апертурної діафрагми, до задньої фокусної відстані системи.
Відносна спектральна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Відносна спектральна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Залежність монохроматичної чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача, віднесеної до значення максимальної монохроматичної чутливості, від довжини хвилі потоку випромінювання, що реєструється
Відносна спектральна характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Залежність монохроматичної чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача, віднесеної до значення максимальної монохроматичної чутливості, від довжини хвилі потоку випромінювання, що реєструється
Відносна спектральна чутливість фотокатоду
Відносна спектральна чутливість фотокатоду / Relative spectral sensitivity of photocathode
Відношення спектральної чутливості фотокатоду на даній довжині хвилі до максимальної спектральної чутливості фотокатоду.
Відносна спектральна чутливість фотокатоду / Relative spectral sensitivity of photocathode
Відношення спектральної чутливості фотокатоду на даній довжині хвилі до максимальної спектральної чутливості фотокатоду.
Відношення сигнал/шум
Відношення сигнал/шум / Signal-to-Noise ratio (SNR)
Безрозмірна величина, рівна відношенню потужності корисного сигналу до потужності шуму.
Відношення сигнал/шум / Signal-to-Noise ratio (SNR)
Безрозмірна величина, рівна відношенню потужності корисного сигналу до потужності шуму.
Відхиляючі пластини ЕОП
Відхиляючі пластини ЕОП / Deflecting Plates - Image Intensifier
Електроди електронно-оптичного перетворювача, які призначені для створення електричного поля, що переміщує зображення по люмінесцентному екрану.
Електроди електронно-оптичного перетворювача, які призначені для створення електричного поля, що переміщує зображення по люмінесцентному екрану.
Віньєтуюча діафрагма
Віньєтуюча діафрагма / Vignetting Stop
Будь-яка діафрагма, крім апертурної і польової, яка обмежує пучки променів, що виходять з точок предмету, які лежать поза оптичною віссю.
Віньєтуюча діафрагма / Vignetting Stop
Будь-яка діафрагма, крім апертурної і польової, яка обмежує пучки променів, що виходять з точок предмету, які лежать поза оптичною віссю.
Вірогідність бітових помилок
Вірогідність бітових помилок /
Bit error rate
Це одна з можливостей оцінки якості цифрових передач. Вона вказує на ймовірність того, що передані коди можуть бути неправильно ідентифіковані.
Це одна з можливостей оцінки якості цифрових передач. Вона вказує на ймовірність того, що передані коди можуть бути неправильно ідентифіковані.
Вивід фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Вивід фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання - Вивід ФЕНП / Detector terminal
Елемент конструкції корпусу фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання, необхідний для з’єднання відповідного електроду з зовнішнім електричним колом
Вивід фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання - Вивід ФЕНП / Detector terminal
Елемент конструкції корпусу фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання, необхідний для з’єднання відповідного електроду з зовнішнім електричним колом
Висока роздільна здатність
Висока роздільна здатність / High definition (HD)
Зображення з роздільною здатністю 1920×1080.
Висока роздільна здатність / High definition (HD)
Зображення з роздільною здатністю 1920×1080.
Вихід фотоприймального пристрою
Вихід фотоприймального пристрою
Частина фотоприймального пристрою, що забезпечує зв’язок фотоприймального пристрою з зовнішнім електричним колом
Вихід фотоприймального пристрою
Частина фотоприймального пристрою, що забезпечує зв’язок фотоприймального пристрою з зовнішнім електричним колом
Вихідна вольт-амперна характеристика фототранзистору
Вихідна вольт-амперна характеристика фототранзистору / Output current-voltage characteristic
Залежність електричного струму від напруги на виході фототранзистору при постійному струмі на вході і фіксованому потоці випромінювання
Вихідна вольт-амперна характеристика фототранзистору / Output current-voltage characteristic
Залежність електричного струму від напруги на виході фототранзистору при постійному струмі на вході і фіксованому потоці випромінювання
Вихідна енергетична характеристика фототранзистору
Вихідна енергетична характеристика фототранзистору
Залежність електричного струму на виході фототранзистору від потоку або щільності потоку випромінювання при постійній напрузі на виході и фіксованому струмі (напрузі) на вході
Вихідна енергетична характеристика фототранзистору
Залежність електричного струму на виході фототранзистору від потоку або щільності потоку випромінювання при постійній напрузі на виході и фіксованому струмі (напрузі) на вході
Вихідна зіниця
Вихідна зіниця / Exit Pupil
Параксіальне зображення апертурної діафрагми у просторі зображень або апертурна діафрагма, розташована у просторі зображень.
Вихідна зіниця / Exit Pupil
Параксіальне зображення апертурної діафрагми у просторі зображень або апертурна діафрагма, розташована у просторі зображень.
Вихідна чутливість
Вихідна чутливість / Output sensitivity
Відношення амплітуди вихідного сигналу до заряду, що утворився. Вимірюється у В/е-.
Вихідна чутливість / Output sensitivity
Відношення амплітуди вихідного сигналу до заряду, що утворився. Вимірюється у В/е-.
Власна амплітудна роздільна здатність фотопомножувача
Власна амплітудна роздільна здатність фотопомножувача / Amplitude resolution of photomultiplier
Здатність фотопомножувача розрізняти близькі по інтенсивності світлові імпульси.
Власна амплітудна роздільна здатність фотопомножувача / Amplitude resolution of photomultiplier
Здатність фотопомножувача розрізняти близькі по інтенсивності світлові імпульси.
Волоконно-оптична пластина (FOP)
Волоконно-оптична пластина /
FOP (fiber optic plate)
Оптичний пристрій, що складається з пучка оптичних волокон, діаметр яких становить кілька мікрон. Вона є заміною об'єктиву і передає світло та зображення з високою ефективністю та низькою дисторсією (викривленнями). Волоконно-оптичні пластини не потребують фокусної відстані, як об'єктиви, і це робить можливим компактний оптичний дизайн.
Оптичний пристрій, що складається з пучка оптичних волокон, діаметр яких становить кілька мікрон. Вона є заміною об'єктиву і передає світло та зображення з високою ефективністю та низькою дисторсією (викривленнями). Волоконно-оптичні пластини не потребують фокусної відстані, як об'єктиви, і це робить можливим компактний оптичний дизайн.
Волоконно-оптична пластина з сцинтилятором (FOS)
Волоконно-оптична пластина з сцинтилятором / FOS (fiber optic plate with scintillator)
Волоконно-оптична пластина з сцинтилятором CsI(TI) для рентгенівських променів.
Волоконно-оптична пластина з сцинтилятором / FOS (fiber optic plate with scintillator)
Волоконно-оптична пластина з сцинтилятором CsI(TI) для рентгенівських променів.
Волоконно-оптичний підсилювач на оптичному волокні, легованому іонами ербію
Волоконно-оптичний підсилювач на оптичному волокні, легованому іонами ербію / EDFA (erbium-doped fiber amplifier)
Пристрій, який безпосередньо підсилює світло за допомогою оптичного волокна з осердям на основі кварцу легованого ербієм. Світло посилюється в оптичному волокні індукованим випромінюванням. Коли слабкий світловий сигнал надходить у волоконний підсилювач з ербієм, підсилення світла відбувається на тій же довжині хвилі, що має світловий сигнал. Волоконні підсилювачі з ербієм широко використовуються в якості оптичних підсилювачів для дальнього оптичного зв'язку з довжиною хвилі 1,55 мкм.
Волоконно-оптичний підсилювач на оптичному волокні, легованому іонами ербію / EDFA (erbium-doped fiber amplifier)
Пристрій, який безпосередньо підсилює світло за допомогою оптичного волокна з осердям на основі кварцу легованого ербієм. Світло посилюється в оптичному волокні індукованим випромінюванням. Коли слабкий світловий сигнал надходить у волоконний підсилювач з ербієм, підсилення світла відбувається на тій же довжині хвилі, що має світловий сигнал. Волоконні підсилювачі з ербієм широко використовуються в якості оптичних підсилювачів для дальнього оптичного зв'язку з довжиною хвилі 1,55 мкм.
Вольт-амперна характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольт-амперна характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача / Current-voltage characteristic
Залежність електричного струму від напруги, яка прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача, при фіксованому потоці випромінювання
Вольт-амперна характеристика фотоелектричного напівпровідникового приймача / Current-voltage characteristic
Залежність електричного струму від напруги, яка прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача, при фіксованому потоці випромінювання
Вольтова характеристика коефіцієнту множення лавинного фотодіоду
Вольтова характеристика коефіцієнту множення лавинного фотодіоду / Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode
Залежність коефіцієнту множення лавинного фотодіоду від напруги, що прикладена до нього
Вольтова характеристика коефіцієнту множення лавинного фотодіоду / Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode
Залежність коефіцієнту множення лавинного фотодіоду від напруги, що прикладена до нього
Вольтова характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Bias noise voltage characteristic
Залежність середнього квадратичного значення напруги шуму від напруги, що прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика напруги шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Bias noise voltage characteristic
Залежність середнього квадратичного значення напруги шуму від напруги, що прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення
Вольтова характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення / Bias detectivity characteristic
Залежність питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення від напруги, що прикладена до нього
Вольтова характеристика питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення / Bias detectivity characteristic
Залежність питомої властивості фотоелектричного напівпровідникового приймача до виявлення від напруги, що прикладена до нього
Вольтова характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача / Bias voltage response characteristic
Залежність чутливості від напруги, що прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача, при фіксованому потоці випромінювання
Вольтова характеристика чутливості фотоелектричного напівпровідникового приймача / Bias voltage response characteristic
Залежність чутливості від напруги, що прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача, при фіксованому потоці випромінювання
Вольтова характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Bias noise current characteristic
Залежність середнього квадратичного значення струму шуму від напруги, що прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова характеристика струму шуму фотоелектричного напівпровідникового приймача / Bias noise current characteristic
Залежність середнього квадратичного значення струму шуму від напруги, що прикладена до фотоелектричного напівпровідникового приймача
Вольтова чутливість фототранзистору
Вольтова чутливість фототранзистору / Voltage responsivity of the phototransistor
Відношення зміни напруги на вході фототранзистору до потоку випромінювання, що викликав цю зміну при холостому ході на вході і короткому замиканні на виході по змінному струму
Вольтова чутливість фототранзистору / Voltage responsivity of the phototransistor
Відношення зміни напруги на вході фототранзистору до потоку випромінювання, що викликав цю зміну при холостому ході на вході і короткому замиканні на виході по змінному струму
Вхідна вольт-амперна характеристика фототранзистору
Вхідна вольт-амперна характеристика фототранзистору / Input current-voltage characteristic
Залежність електричного струму від напруги на вході фототранзистору при постійній напрузі на виході і фіксованому потоці випромінювання
Вхідна вольт-амперна характеристика фототранзистору / Input current-voltage characteristic
Залежність електричного струму від напруги на вході фототранзистору при постійній напрузі на виході і фіксованому потоці випромінювання
Вхідна енергетична характеристика фототранзистору
Вхідна енергетична характеристика фототранзистору
Залежність напруги (струму) на вході фототранзистору від потоку або щільності потоку випромінювання при постійній напрузі на виході і фіксованому струмі (напрузі) на вході
Вхідна енергетична характеристика фототранзистору
Залежність напруги (струму) на вході фототранзистору від потоку або щільності потоку випромінювання при постійній напрузі на виході і фіксованому струмі (напрузі) на вході
Вхідне вікно фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання
Вхідне вікно фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання - Вхідне вікно ФЕНП / Detector window
Оптичний елемент, що входить у конструкцію корпусу фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання і пропускає випромінювання до фоточутливого елементу
Вхідне вікно фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання - Вхідне вікно ФЕНП / Detector window
Оптичний елемент, що входить у конструкцію корпусу фотоелектричного напівпровідникового приймача випромінювання і пропускає випромінювання до фоточутливого елементу
Вхідне (вихідне) вікно
Вхідне (вихідне) вікно / Entrance (Exit) Window
Параксіальне зображення віньєтуючої діафрагми у просторі предметів (зображень).
Вхідне (вихідне) вікно / Entrance (Exit) Window
Параксіальне зображення віньєтуючої діафрагми у просторі предметів (зображень).
Вхідний сигнал, що еквівалентний фоновому
Вхідний сигнал, що еквівалентний фоновому / Equivalent background input
Вхідний сигнал, що еквівалентний фоновому, вказує на рівень освітленості входу електронно-оптичного перетворювача зображення, необхідний для отримання світлового випромінювання від екрану люмінофора, рівного такому, яке буде отримано у випадку, коли вхідна освітленість фотокатода дорівнює нулю. Це вказує на рівень власного фону або нижню межу виявлення освітленості електронно-оптичного перетворювача зображення.
Вхідний сигнал, що еквівалентний фоновому / Equivalent background input
Вхідний сигнал, що еквівалентний фоновому, вказує на рівень освітленості входу електронно-оптичного перетворювача зображення, необхідний для отримання світлового випромінювання від екрану люмінофора, рівного такому, яке буде отримано у випадку, коли вхідна освітленість фотокатода дорівнює нулю. Це вказує на рівень власного фону або нижню межу виявлення освітленості електронно-оптичного перетворювача зображення.