Hamamatsu серія H11462 модуль ФЕП, 4 x 20mm, 185 - 900nm, ±5V, 20&200 kHz

Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| Форма фотокатоду | прямокутна |
| Розмір фотокатоду | 4 х 20 мм |
| Короткохвильова межа спектрального діапазону | 185 нм |
| Довгохвильова межа спектрального діапазону | 900 нм |
| Розмір (Ш х В х Г) | 38.0 x 95.0 x 50.0 мм |
| Вхідна напруга | +5 В |
| Діапазон вхідної напруги | ± 4.5 до ± 5.5 В |
| Найбільша вхідна напруга | ± 6 В |
| Найбільша напруга керування | 1.2 В |
| Рекомендована напруга керування | +0.5 до +1.1 В |
| Найбільший рівень пульсацій і шуму | 0.5 мВ |
| Робоча температура навколишнього середовища | +5 до +50 ℃ |
| Температура зберігання | -20 до +50 ℃ |
Опис
Серія модулів ФЕП Hamamatsu H11462
Photosensor module, Photon counting head, PMT module
Серіїя H11462 фотосенсорних модулів створена на основі ФЕП діаметром 28 мм (1-1/8") з боковим оптичним входом.
Модулі мають інтегроване джерело живлення високої напруги та підсилювач з низьким рівнем власного шуму.
Доступні два типи підсилювачів із коефіцієнтом перетворення струм-напруга 1 В/мкА або 0,1 В/мкА.
Частотна смуга пропускання DC - 20 кГц або DC - 200 кГц.
Photosensor module, Photon counting head, PMT module
Серіїя H11462 фотосенсорних модулів створена на основі ФЕП діаметром 28 мм (1-1/8") з боковим оптичним входом.
Модулі мають інтегроване джерело живлення високої напруги та підсилювач з низьким рівнем власного шуму.
Доступні два типи підсилювачів із коефіцієнтом перетворення струм-напруга 1 В/мкА або 0,1 В/мкА.
Частотна смуга пропускання DC - 20 кГц або DC - 200 кГц.
Таблиця вибору модулів ФЕП
|
H11462-011 |
185 - 710 нм | білужний | УФ скло |
1 В/мкА |
DC - 20 кГц |
| H11462-021 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло | ||
| H11462-031 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло | ||
| H11462-12 | 185 - 710 нм | білужний | УФ скло | 0.1 В/мкА | DC - 200 кГц |
| H11462-022 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло | ||
| H11462-032 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло |
Серія модулів ФЕП Hamamatsu H11462
Photosensor module, Photon counting head, PMT module
Серіїя H11462 фотосенсорних модулів створена на основі ФЕП діаметром 28 мм (1-1/8") з боковим оптичним входом.
Модулі мають інтегроване джерело живлення високої напруги та підсилювач з низьким рівнем власного шуму.
Доступні два типи підсилювачів із коефіцієнтом перетворення струм-напруга 1 В/мкА або 0,1 В/мкА.
Частотна смуга пропускання DC - 20 кГц або DC - 200 кГц.
Photosensor module, Photon counting head, PMT module
Серіїя H11462 фотосенсорних модулів створена на основі ФЕП діаметром 28 мм (1-1/8") з боковим оптичним входом.
Модулі мають інтегроване джерело живлення високої напруги та підсилювач з низьким рівнем власного шуму.
Доступні два типи підсилювачів із коефіцієнтом перетворення струм-напруга 1 В/мкА або 0,1 В/мкА.
Частотна смуга пропускання DC - 20 кГц або DC - 200 кГц.
Таблиця вибору модулів ФЕП
|
H11462-011 |
185 - 710 нм | білужний | УФ скло |
1 В/мкА |
DC - 20 кГц |
| H11462-021 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло | ||
| H11462-031 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло | ||
| H11462-12 | 185 - 710 нм | білужний | УФ скло | 0.1 В/мкА | DC - 200 кГц |
| H11462-022 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло | ||
| H11462-032 | 185 - 900 нм | багатолужний | УФ скло |
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| Форма фотокатоду | прямокутна |
| Розмір фотокатоду | 4 х 20 мм |
| Короткохвильова межа спектрального діапазону | 185 нм |
| Довгохвильова межа спектрального діапазону | 900 нм |
| Розмір (Ш х В х Г) | 38.0 x 95.0 x 50.0 мм |
| Вхідна напруга | +5 В |
| Діапазон вхідної напруги | ± 4.5 до ± 5.5 В |
| Найбільша вхідна напруга | ± 6 В |
| Найбільша напруга керування | 1.2 В |
| Рекомендована напруга керування | +0.5 до +1.1 В |
| Найбільший рівень пульсацій і шуму | 0.5 мВ |
| Робоча температура навколишнього середовища | +5 до +50 ℃ |
| Температура зберігання | -20 до +50 ℃ |
Відгуки0
Залишити відгук

