Hamamatsu S2506-04 фотодіод Si PIN, 2.77 × 2.77mm, 760 - 1100nm, SIP

Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si PIN |
| Спектральний діапазон мін. | 760 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.77 × 2.77 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Макс. зворотна напруга | 35 В |
| Типова фоточутливість | 0.56 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10000 пA |
| Частота зрізу | 25 МГц |
| Термінальна ємність | 15 пФ |
| Корпус / Виконання | SIP |
Опис
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2506-04
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод S2506-04 з великою світочутливою поверхнею в корпусі SIP для роботи в ближньому ІЧ діапазоні
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод S2506-04 з великою світочутливою поверхнею в корпусі SIP для роботи в ближньому ІЧ діапазоні
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2506-04
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод S2506-04 з великою світочутливою поверхнею в корпусі SIP для роботи в ближньому ІЧ діапазоні
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод S2506-04 з великою світочутливою поверхнею в корпусі SIP для роботи в ближньому ІЧ діапазоні
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si PIN |
| Спектральний діапазон мін. | 760 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.77 × 2.77 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Макс. зворотна напруга | 35 В |
| Типова фоточутливість | 0.56 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10000 пA |
| Частота зрізу | 25 МГц |
| Термінальна ємність | 15 пФ |
| Корпус / Виконання | SIP |
Відгуки0
Залишити відгук

