Hamamatsu S2506-02 фотодіод Si PIN, 2.77 × 2.77mm, 320 - 1100nm, single in-line package
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si PIN |
| Спектральний діапазон мін. | 320 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.77 × 2.77 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Макс. зворотна напруга | 35 В |
| Типова фоточутливість | 0.48 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10000 пА |
| Частота зрізу | 25 МГц |
| Термінальна ємність | 15 пФ |
| Корпус / Виконання | пластик |
Опис
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2506-02
Si PIN photodiode
Спектральний діапазон від видимого до ближнього інфрачевоного.
Si PIN photodiode
Спектральний діапазон від видимого до ближнього інфрачевоного.
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2506-02
Si PIN photodiode
Спектральний діапазон від видимого до ближнього інфрачевоного.
Si PIN photodiode
Спектральний діапазон від видимого до ближнього інфрачевоного.
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si PIN |
| Спектральний діапазон мін. | 320 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.77 × 2.77 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Макс. зворотна напруга | 35 В |
| Типова фоточутливість | 0.48 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10000 пА |
| Частота зрізу | 25 МГц |
| Термінальна ємність | 15 пФ |
| Корпус / Виконання | пластик |
Відгуки0
Залишити відгук
Оплата Оплата здійснюється виключно безготівковим розрахунком.
Доставка Доставка Новою Поштою або самовивіз з офісу компанії.
Повернення Повернення або обмін товару на аналогічний -протягом 14 днів. 134,36 грн
В наявності: 12
Артикул
S2506-02
