Hamamatsu S2387-130R фотодіод Si, 29.1 × 1.2mm, 340 - 1100mm, high sensitivity

Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 340 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | > 10 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 29.1 × 1.2 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 30 В |
| Типова фоточутливість | 0.58 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 100 пА |
| Типовий час наростання | 11 мкс |
| Термінальна ємність | 5000 пФ |
| Корпус / Виконання | кераміка |
Опис
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2387-130R
Si photodiode
Спектральний діапазон від видимого до інфрачевоного, для загальної фотометрії.
Особливості:
Si photodiode
Спектральний діапазон від видимого до інфрачевоного, для загальної фотометрії.
Особливості:
- Висока чутливість в видимому та інфрачервоному діапазоні
- Низький темновий струм
- Висока лінійність
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2387-130R
Si photodiode
Спектральний діапазон від видимого до інфрачевоного, для загальної фотометрії.
Особливості:
Si photodiode
Спектральний діапазон від видимого до інфрачевоного, для загальної фотометрії.
Особливості:
- Висока чутливість в видимому та інфрачервоному діапазоні
- Низький темновий струм
- Висока лінійність
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 340 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | > 10 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 29.1 × 1.2 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 30 В |
| Типова фоточутливість | 0.58 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 100 пА |
| Типовий час наростання | 11 мкс |
| Термінальна ємність | 5000 пФ |
| Корпус / Виконання | кераміка |
Відгуки0
Залишити відгук

