Hamamatsu S2386-8K фотодіод Si, 5.8 × 5.8mm, 320 - 1100nm, TO-8

Характеристики

Бренд Hamamatsu Photonics
В наявності Так
Матеріал / Тип Si
Спектральний діапазон мін. 320 нм
Спектральний діапазон макс. 1100 нм
Пік спектрального діапазону 960 нм
Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) 5.1 мм - 10 мм
Розмір фоточутливої поверхні 5.8 × 5.8 мм
Кількість елементів 1
Охолодження без охолодження
Макс. зворотна напруга 30 В
Типова фоточутливість 0.6 А/Вт
Макс. темновий струм 50 пА
Типовий час наростання 10 мкс
Термінальна ємність 4300 пФ
Корпус / Виконання TO-8
Всі характеристики

Опис

Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2386-8K
Si photodiode

Спектральний діапазон від видимого до ближнього інфрачевоного, для загальної фотометрії.
Особливості:
  • Висока чутливість в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні
  • Низький темновий струм
  • Висока надійність
  • Висока лінійність
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2386-8K
Si photodiode

Спектральний діапазон від видимого до ближнього інфрачевоного, для загальної фотометрії.
Особливості:
  • Висока чутливість в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні
  • Низький темновий струм
  • Висока надійність
  • Висока лінійність

Характеристики

Бренд Hamamatsu Photonics
В наявності Так
Матеріал / Тип Si
Спектральний діапазон мін. 320 нм
Спектральний діапазон макс. 1100 нм
Пік спектрального діапазону 960 нм
Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) 5.1 мм - 10 мм
Розмір фоточутливої поверхні 5.8 × 5.8 мм
Кількість елементів 1
Охолодження без охолодження
Макс. зворотна напруга 30 В
Типова фоточутливість 0.6 А/Вт
Макс. темновий струм 50 пА
Типовий час наростання 10 мкс
Термінальна ємність 4300 пФ
Корпус / Виконання TO-8

Відгуки0

Залишити відгук
Оплата Оплата здійснюється виключно безготівковим розрахунком.
Доставка Доставка Новою Поштою або самовивіз з офісу компанії.
Повернення Повернення або обмін товару на аналогічний -протягом 14 днів.
0%
1 124,36 грн
В наявності: 1
Артикул
S2386-8K
1 124,36 грн