Hamamatsu S1787-04 фотодіод Si, 2.8 × 2.4mm, 320 - 730nm, low dark current

Характеристики

Бренд Hamamatsu Photonics
В наявності Так
Матеріал / Тип Si
Спектральний діапазон мін. 320 нм
Спектральний діапазон макс. 730 нм
Пік спектрального діапазону 560 нм
Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) 2.1 мм - 3 мм
Розмір фоточутливої поверхні 2.8 × 2.4 мм
Кількість елементів 1
Охолодження без охолодження
Макс. зворотна напруга 10 В
Типова фоточутливість 0.3 А/Вт
Макс. темновий струм 10 пА
Типовий час наростання 2.5 мкс
Термінальна ємність 700 пФ
Корпус / Виконання пластик
Всі характеристики

Опис

Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1787-04
Si photodiode

Серія фотодіодів S1787-04 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.

Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1787-04
Si photodiode

Серія фотодіодів S1787-04 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.

Характеристики

Бренд Hamamatsu Photonics
В наявності Так
Матеріал / Тип Si
Спектральний діапазон мін. 320 нм
Спектральний діапазон макс. 730 нм
Пік спектрального діапазону 560 нм
Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) 2.1 мм - 3 мм
Розмір фоточутливої поверхні 2.8 × 2.4 мм
Кількість елементів 1
Охолодження без охолодження
Макс. зворотна напруга 10 В
Типова фоточутливість 0.3 А/Вт
Макс. темновий струм 10 пА
Типовий час наростання 2.5 мкс
Термінальна ємність 700 пФ
Корпус / Виконання пластик

Відгуки0

Залишити відгук
Оплата Оплата здійснюється виключно безготівковим розрахунком.
Доставка Доставка Новою Поштою або самовивіз з офісу компанії.
Повернення Повернення або обмін товару на аналогічний -протягом 14 днів.
0%
261,64 грн
В наявності: 6
Артикул
S1787-04
261,64 грн