Hamamatsu S1787-04 фотодіод Si, 2.8 × 2.4mm, 320 - 730nm, low dark current

Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 320 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 730 нм |
| Пік спектрального діапазону | 560 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.8 × 2.4 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 10 В |
| Типова фоточутливість | 0.3 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10 пА |
| Типовий час наростання | 2.5 мкс |
| Термінальна ємність | 700 пФ |
| Корпус / Виконання | пластик |
Опис
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1787-04
Si photodiode
Серія фотодіодів S1787-04 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.
Si photodiode
Серія фотодіодів S1787-04 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1787-04
Si photodiode
Серія фотодіодів S1787-04 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.
Si photodiode
Серія фотодіодів S1787-04 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 320 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 730 нм |
| Пік спектрального діапазону | 560 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.8 × 2.4 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 10 В |
| Типова фоточутливість | 0.3 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10 пА |
| Типовий час наростання | 2.5 мкс |
| Термінальна ємність | 700 пФ |
| Корпус / Виконання | пластик |
Відгуки0
Залишити відгук

