Hamamatsu S1337-66BQ фотодіод Si, 5.8 × 5.8 mm, 190 - 1100nm

Характеристики

Бренд	Hamamatsu Photonics
В наявності	Так
Матеріал / Тип	Si
Спектральний діапазон мін.	190 нм
Спектральний діапазон макс.	1100 нм
Пік спектрального діапазону	960 нм
Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина)	5.1 мм - 10 мм
Розмір фоточутливої поверхні	5.8 × 5.8 мм
Кількість елементів	1
Охолодження	без охолодження
Макс. зворотна напруга	5 В
Типова фоточутливість	0.5 А/Вт
Макс. темновий струм	100 пА
Типовий час наростання	1 мкс
Термінальна ємність	380 пФ
Корпус / Виконання	кераміка

Всі характеристики

Опис

Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1337-66BQ
Si photodiode

Спектральний діапазон від ультрафіолетового до ближнього інфрачервоного, для точної фотометрії.

Особливості:

Висока чутливість в УФ діапазоні: QE 75% (λ=200 nm)
Низька ємність

Висока чутливість в УФ діапазоні: QE 75% (λ=200 nm)
Низька ємність

Характеристики

Бренд	Hamamatsu Photonics
В наявності	Так
Матеріал / Тип	Si
Спектральний діапазон мін.	190 нм
Спектральний діапазон макс.	1100 нм
Пік спектрального діапазону	960 нм
Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина)	5.1 мм - 10 мм
Розмір фоточутливої поверхні	5.8 × 5.8 мм
Кількість елементів	1
Охолодження	без охолодження
Макс. зворотна напруга	5 В
Типова фоточутливість	0.5 А/Вт
Макс. темновий струм	100 пА
Типовий час наростання	1 мкс
Термінальна ємність	380 пФ
Корпус / Виконання	кераміка