Hamamatsu S1336-5BQ фотодіод Si, 2.4 × 2.4mm, 190 - 1100nm, TO-5
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 190 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.4 × 2.4 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 5 В |
| Типова фоточутливість | 0.5 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 30 пА |
| Типовий час наростання | 0.2 мкс |
| Термінальна ємність | 65 пФ |
| Корпус / Виконання | TO-5 |
Опис
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1336-5BQ
Si photodiode
Спектральний діапазон від ультрафіолетового до ближнього інфрачервоного, для точної фотометрії.
Особливості:
Висока чутливість в УФ діапазоні
Низька ємність
Висока надійність
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1336-5BQ
Si photodiode
Спектральний діапазон від ультрафіолетового до ближнього інфрачервоного, для точної фотометрії.
Особливості:
Висока чутливість в УФ діапазоні
Низька ємність
Висока надійність
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 190 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 960 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 2.1 мм - 3 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 2.4 × 2.4 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 5 В |
| Типова фоточутливість | 0.5 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 30 пА |
| Типовий час наростання | 0.2 мкс |
| Термінальна ємність | 65 пФ |
| Корпус / Виконання | TO-5 |
Відгуки0
Залишити відгук
Оплата Оплата здійснюється виключно безготівковим розрахунком.
Доставка Доставка Новою Поштою або самовивіз з офісу компанії.
Повернення Повернення або обмін товару на аналогічний -протягом 14 днів.