Hamamatsu S12498 фотодіод Si, 6.0×6.0 mm, 400-1100nm, back-illuminated

Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 400 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 920 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 5.1 мм - 10 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 6.0 × 6.0 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Макс. зворотна напруга | 10 В |
| Типова фоточутливість | 0.57 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 150 пA |
| Типовий час наростання | 15 мкс |
| Термінальна ємність | 380 пФ |
| Корпус / Виконання | PWB |
Опис
Кремнієвий фотодіод для рентгенівського неруйнівного контролю Hamamatsu S12498
Si photodiode, x-ray non-destructive inspection
Кремнієвий фотодіод зі зворотнім освітленням (back-illuminated), який не містить проводів на фоточутливій поверхні
Si photodiode, x-ray non-destructive inspection
Кремнієвий фотодіод зі зворотнім освітленням (back-illuminated), який не містить проводів на фоточутливій поверхні
тому сцинтилятор може бути встановлено безпосередньо на фотодіод.
Особливості
Особливості
- Спектральний діапазон: от 400 до 1100 нм
- Фоточутлива поверхня: 6,0 × 6,0 мм
- Легкий монтаж сцинтилятора безпосередньо на фотодіод
Кремнієвий фотодіод для рентгенівського неруйнівного контролю Hamamatsu S12498
Si photodiode, x-ray non-destructive inspection
Кремнієвий фотодіод зі зворотнім освітленням (back-illuminated), який не містить проводів на фоточутливій поверхні
Si photodiode, x-ray non-destructive inspection
Кремнієвий фотодіод зі зворотнім освітленням (back-illuminated), який не містить проводів на фоточутливій поверхні
тому сцинтилятор може бути встановлено безпосередньо на фотодіод.
Особливості
Особливості
- Спектральний діапазон: от 400 до 1100 нм
- Фоточутлива поверхня: 6,0 × 6,0 мм
- Легкий монтаж сцинтилятора безпосередньо на фотодіод
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 400 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1100 нм |
| Пік спектрального діапазону | 920 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 5.1 мм - 10 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 6.0 × 6.0 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Макс. зворотна напруга | 10 В |
| Типова фоточутливість | 0.57 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 150 пA |
| Типовий час наростання | 15 мкс |
| Термінальна ємність | 380 пФ |
| Корпус / Виконання | PWB |
Відгуки0
Залишити відгук

