Hamamatsu S1226-18BQ фотодіод Si, 1.1×1.1 mm, 190-1000nm, TO-18
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 190 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1000 нм |
| Пік спектрального діапазону | 720 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 1.1 мм - 2 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 1.1 × 1.1 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 5 В |
| Типова фоточутливість | 0.36 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 2 пA |
| Типовий час наростання | 0.15 мкс |
| Термінальна ємність | 35 пФ |
| Корпус / Виконання | TO-18 |
Опис
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1226-18BQ
Si photodiode
Si photodiode
Особливості:
- Висока чутливість в УФ діапазоні: QE = 75% (λ = 200 нм)
- Знижена чутливість в ІЧ діапазоні
- Низький темновий струм
- Висока надійність
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1226-18BQ
Si photodiode
Si photodiode
Особливості:
- Висока чутливість в УФ діапазоні: QE = 75% (λ = 200 нм)
- Знижена чутливість в ІЧ діапазоні
- Низький темновий струм
- Висока надійність
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 190 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 1000 нм |
| Пік спектрального діапазону | 720 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 1.1 мм - 2 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 1.1 × 1.1 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 5 В |
| Типова фоточутливість | 0.36 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 2 пA |
| Типовий час наростання | 0.15 мкс |
| Термінальна ємність | 35 пФ |
| Корпус / Виконання | TO-18 |
Відгуки0
Залишити відгук
Оплата Оплата здійснюється виключно безготівковим розрахунком.
Доставка Доставка Новою Поштою або самовивіз з офісу компанії.
Повернення Повернення або обмін товару на аналогічний -протягом 14 днів. 1 244,57 грн
В наявності: 3
Артикул
S1226-18BQ
