Hamamatsu S1087 фотодіод Si, 1.3×1.3 mm, 320-730nm
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 320 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 730 нм |
| Пік спектрального діапазону | 560 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 1.1 мм - 2 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 1.3 × 1.3 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 10 В |
| Типова фоточутливість | 0.3 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10 пA |
| Типовий час наростання | 0.5 мкс |
| Термінальна ємність | 200 пФ |
| Корпус / Виконання | кераміка |
Опис
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1087
Si photodiode
Si photodiode
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1087
Si photodiode
Si photodiode
Характеристики
| Бренд | Hamamatsu Photonics |
|---|---|
| В наявності | Так |
| Матеріал / Тип | Si |
| Спектральний діапазон мін. | 320 нм |
| Спектральний діапазон макс. | 730 нм |
| Пік спектрального діапазону | 560 нм |
| Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) | 1.1 мм - 2 мм |
| Розмір фоточутливої поверхні | 1.3 × 1.3 мм |
| Кількість елементів | 1 |
| Охолодження | без охолодження |
| Макс. зворотна напруга | 10 В |
| Типова фоточутливість | 0.3 А/Вт |
| Макс. темновий струм | 10 пA |
| Типовий час наростання | 0.5 мкс |
| Термінальна ємність | 200 пФ |
| Корпус / Виконання | кераміка |
Відгуки0
Залишити відгук
Оплата Оплата здійснюється виключно безготівковим розрахунком.
Доставка Доставка Новою Поштою або самовивіз з офісу компанії.
Повернення Повернення або обмін товару на аналогічний -протягом 14 днів. 183,86 грн
В наявності: 14
Артикул
S1087
