Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
15 Травня 2024
Нове покоління камер AF-Zoom від Active Silicon
9 Травня 2024
Нова інтеграційна сфера QYPro від Edinburgh Instruments
Hamamatsu серія H11462 модуль ФЕП, 4 x 20mm, 185 - 900nm, ±5V, 20&200 kHz
Під замовлення
-
+
Технічний довідник
- Опис
- Задати питання
-
Серія модулів ФЕП Hamamatsu H11462
Photosensor module, Photon counting head, PMT module
Серіїя H11462 фотосенсорних модулів створена на основі ФЕП діаметром 28 мм (1-1/8") з боковим оптичним входом.
Модулі мають інтегроване джерело живлення високої напруги та підсилювач з низьким рівнем власного шуму.
Доступні два типи підсилювачів із коефіцієнтом перетворення струм-напруга 1 В/мкА або 0,1 В/мкА.
Частотна смуга пропускання DC - 20 кГц або DC - 200 кГц.
Таблиця вибору модулів ФЕП
H11462-011
185 - 710 нм білужний УФ скло 1 В/мкА
DC - 20 кГц
H11462-021 185 - 900 нм багатолужний УФ скло H11462-031 185 - 900 нм багатолужний УФ скло H11462-12 185 - 710 нм білужний УФ скло 0.1 В/мкА DC - 200 кГц H11462-022 185 - 900 нм багатолужний УФ скло H11462-032 185 - 900 нм багатолужний УФ скло Характеристики
Форма фотокатоду прямокутна Розмір фотокатоду 4 х 20 мм Короткохвильова межа спектрального діапазону 185 нм Довгохвильова межа спектрального діапазону 900 нм Розмір (Ш х В х Г) 38.0 x 95.0 x 50.0 мм Вхідна напруга +5 В Діапазон вхідної напруги ± 4.5 до ± 5.5 В Найбільша вхідна напруга ± 6 В Найбільша напруга керування 1.2 В Рекомендована напруга керування +0.5 до +1.1 В Найбільший рівень пульсацій і шуму 0.5 мВ Робоча температура навколишнього середовища +5 до +50 ℃ Температура зберігання -20 до +50 ℃ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії