Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
3 Квітня 2023
Нова світлодіодна УФ-піч від UWAVE
28 Березня 2023
Нові потужні УФ-LED джерела світла для полімеризації від UWAVE
Hamamatsu серія H11432 модуль ФЕП, Ø34mm, 300 - 650nm, +5V
Артикул:
H11432
Спектральний діапазон 300 - 650 нм, вихідний сигнал - струм, H11432 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
Технічний довідник
- Опис
- Задати питання
-
Серія модулів ФЕП Hamamatsu H11432 для сцинтиляційного рахунку
Photomultiplier tube assembly, Photosensor module, PMT module, Модуль ФЭУ
Модуль H11432 створений на основі торцевого ФЕП діаметром 38 мм (1-1/2") з інтегрованим джерелом живлення високої напруги.
Має велику ефективну площу фотокатоду та підходять для сцинтиляційного рахунку.
Таблиця вибору модулів ФЕП
Номер пристрою Спектральний діапазон Типова світлова чутливість Катод Анод H11432 300 - 650 нм 95 мкA/лм 47 A/лм H11432-100 300 - 650 нм 130 мкA/лм 65 A/лм Характеристики
Форма фотокатоду кругла Розмір фотокатоду Ø 34 мм Короткохвильова межа спектрального діапазону 300 нм Довгохвильова межа спектрального діапазону 650 нм Пік спектрального діапазону 420 нм Розмір (Ш х В х Г) 39 х 128 мм Вхідна напруга +5 В Діапазон вхідної напруги + 4.5 до + 5.5 В Найбільша вхідна напруга 6.0 В Найбільший вхідний струм 5.0 мA Найбільший вихідний сигнал 100 мкA Найбільша напруга керування +1.5 В (вхідний імпеданс 1 МОм) Рекомендована напруга керування +0.5 до +1.45 В (вхідний імпеданс 1 МОм) [Анод] Типовий темновий струм (після 30 хв.) 10 нА [Анод] Найбільший темновий струм (після 30 хв.) 100 nA [Час відгуку] Типовий час наростання 1.6 нс Найбільший рівень пульсацій і шуму 0.3 мВ Робоча температура навколишнього середовища +5 до +50 ℃ Температура зберігання -20 до +50 ℃ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії
Задати питання
- Рекомендовані товари
