Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S9055-01 фотодіод Si PIN, Ø0.1mm, 320 - 1000nm
Артикул:
S9055-01
Ø 0.1 мм, 320 - 1000 нм, 0.25 А/Вт, S9055-01 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S9055-01
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод Hamamatsu S9055-01 забеспечує високошвидкісний відгук, що перевищує 1 ГГц при низькій напрузі зміщення (VR = 2 В).
Низька ємність (менше 1пФ) робить S9055-01 ідеальним для поєднання з високошвидкісним трансімпедансним підсилювачем
Особливості
- Високошвидкісний відгук: 2 ГГц (VR = 2 В, -3 дБ)
- Низька ємність: 0,5 пФ (VR = 2 В)
- Високонадійний корпус TO-18
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1000 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 700 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅ 0.1 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 20 В Типова фоточутливість 0.25 А/Вт Макс. темновий струм 100 пА Частота зрізу 2000 МГц Термінальна ємність 0.5 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії