Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
20 Жовтня 2020
21 жовтня ДЕНЬ ФОТОНІКИ
25 Вересня 2020
Імунохроматографічний зчитувач Hamamatsu
18 Червня 2020
Підбірка новин Hamamatsu News 2020 Vol. 1
Hamamatsu S8890-10 фотодіод Si APD, Ø1mm, 400 - 1100nm, TO-5
Спектральний діапазон - 400 до 1100 нм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 1 мм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 1 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий лавинний фотодіод (Si APD) Hamamatsu S8890-10Si APD photodiode, avalanche photodiode, лавинный фотодиод
Особливості
- Висока чутливість
- Високе підсилення
- Низька термінальна ємність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 400 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 940 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅1 мм Типова фоточутливість 70 А/Вт Макс. темновий струм 50 нА Частота зрізу 230 МГц Термінальна ємність 1.5 пФ Типова пробивна напруга 500 В Температурний коефіцієнт пробивної напруги (тип) 3.5 В/℃ Типове підсилення 100 -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії