Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S8890-02 фотодіод Si APD, Ø 0.2mm, 400 - 1100nm, TO-5
Артикул:
S8890-02
Спектральний діапазон - 400 до 1100 нм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.2 мм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.2 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий лавинний фотодіод (Si APD) Hamamatsu S8890-02Si APD photodiode, avalanche photodiode, лавинный фотодиод
Особливості
- Висока чутливість
- Високе підсилення
- Низька термінальна ємність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 400 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 940 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅0.2 мм Макс. темновий струм 2 нА Частота зрізу 280 МГц Термінальна ємність 0.2 пФ Типова пробивна напруга 500 В Температурний коефіцієнт пробивної напруги (тип) 3.5 В/℃ Типове підсилення 100 -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії