Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S8650 фотодіод Si PIN, 10 × 10mm, 340 - 1100nm
Артикул:
S8650
10 × 10 мм, 340 - 1100 нм, 0.66 А/Вт, S8650 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S8650
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод Hamamatsu S8650 з великою фоточутливою поверхнею (10 × 10 мм). Поверхня вікна фотодіода має епоксидне покриття (площинність ± 5 мкм), що ідеально підходить для з'єднання з сцинтилятором
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 340 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 10 × 10 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 100 В Типова фоточутливість 0.66 А/Вт Макс. темновий струм 6000 пА Частота зрізу 40 МГц Термінальна ємність 40 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії