Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S8385 фотодіод Si PIN, 2 × 2mm, 320 - 1100nm
Артикул:
S8385
2 × 2 мм, 320 - 1100 нм, 0.48 А/Вт, S8385 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S8385
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод Hamamatsu S8385 з великою фоточутливою поверхнею в компактному пластиковому корпусі SIP
Особливості:
- Розмір корпусу: 4 × 4.8 × 1.8 мм
- Висока чутливість, високошвидкісний відгук
- Від видимого до ближнього інфрачервоного діапазону (λ = 320 до 1100 нм)
- Фоточутлива поверхня: 2 × 2 мм
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 320 нм Спектральній діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання пластик (SIP) Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 2 × 2 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 20 В Типова фоточутливість 0.48 А/Вт Макс. темновий струм 1000 пА Частота зрізу 25 МГц Термінальна ємність 12 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії