Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S8265 фотодіод Si, 2.8 × 2.4mm, 340 - 720nm
Артикул:
S8265
2.8 × 2.4 мм, 320 - 720 нм, 0.3 А/Вт, S8265 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S8265
Si photodiode
Кремнієвий фотодіод з фільтром, що працює в видимому діапазоні та має високу стійкість до вологості
Особливості
- Висока стійкість до вологості (85 ℃, 85%, 1000 годин)
- Керамічний корпус: 6 × 8 мм
- Фоточутлива поферхня : 2,8 х 2,4 мм
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 340 нм Спектральній діапазон макс. нм 720 нм Корпус / Виконання кераміка з фільтром Пік спектрального діапазону, нм 540 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.8 × 2.4 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.3 А/Вт Макс. темновий струм 20 пА Типовий час наростання 0.5 мкс Термінальна ємність 230 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії