Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S7686 фотодіод Si, 2.8 × 2.4mm, 480 - 660nm
Артикул:
S7686
2.8 × 2.4 мм, 480 - 660 нм, 0.38 А/Вт, S7686 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S7686
Si photodiode
Кремнієвий фотодіод з спектральним діапазоном наближеним до чутливості людського ока
Особливості
- Керамічний корпус
- Фоточутлива поверхня: 2,4 × 2,8 мм
- Високошвидкісний відгук: 0,5 мкс (VR = 0 В, RL = 1 кОм)
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 480 нм Спектральній діапазон макс. нм 660 нм Корпус / Виконання кераміка з фільтром (CIE) Пік спектрального діапазону, нм 550 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.8 × 2.4 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.38 А/Вт Макс. темновий струм 20 пА Типовий час наростання 0.5 мкс Термінальна ємність 200 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії