Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S7509 фотодіод Si PIN, 10 × 2mm, 320 - 1100nm
Артикул:
S7509
10 × 2 мм, 320 - 1100 нм, 0.72 А/Вт, S7509 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S7509
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод Hamamatsu S7509 для поверхневого монтажу з великою фоточутливою поверхнею та високою чутливістю.
Для просторової передачі світла, лазерних радарів та зчитувачів штрихкоду
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 10 × 2 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 30 В Типова фоточутливість 0.72 А/Вт Макс. темновий струм 5000 пА Частота зрізу 20 МГц Термінальна ємність 40 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії