Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S6045-04 фотодіод Si APD, Ø1.5mm, 400 - 1000nm, TO-5
Артикул:
S6045-04
Спектральний діапазон - 400 до 1000 нм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 1.5 мм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 1.5 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий лавинний фотодіод (Si APD) Hamamatsu S6045-04
Si APD photodiode, avalanche photodiode, лавинный фотодиод
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 400 нм Спектральний діапазон макс. нм 1000 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 800 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅1.5 мм Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 5 нА Частота зрізу 350 МГц Термінальна ємність 12 пФ Типова пробивна напруга 200 В Температурний коефіцієнт пробивної напруги (тип) 0.4 В/℃ Типове підсилення 100 -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії