Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S5973-02 фотодіод Si PIN, Ø0.4mm, 320 - 1000nm, TO-18
Артикул:
S5973-02
Ø 0.4 мм, 320 - 1000 нм, 0.42 А/Вт, TO-18, S5973-02 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S5973-02
Si PIN photodiode
S5973-02 - високошвидкісний Si PIN фотодіод, що має високу чутливість у широкому спектральному діапазоні від видимого до ближнього інфрачервоного.
Особливості:
- Високошвидкісний відгук (1 ГГц (VR = 3,3 В))
- Висока чутливість: 0,3 А/Вт, QE = 91% (λ = 410 нм)
- Висока надійність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1000 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 760 нм Розмір фоточутливої поверхні Ø 0.4 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 20 В Типова фоточутливість 0.42 А/Вт Макс. темновий струм 100 пА Частота зрізу 1000 МГц Термінальна ємність 1.6 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії