Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S5821-02 фотодіод Si PIN, Ø1.2mm, 320 - 1100nm, TO-18
Артикул:
S5821-02
Ø1.2 мм, 320 - 1100 нм, 0.52 А/Вт, S5821-02 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S5821-02
Si PIN photodiode
S5821-02 - Si PIN високошвидкісний фотодіод, що має високу чутливість у широкому спектральному діапазоні від видимого до ближнього інфрачервоного.
Особливості:
- Високошвидкісний відгук
- Висока чутливість в широкому спектральному діапазоні
- Низький темновий струм
- Низька термінальна ємність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні Ø1.2 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 20 В Типова фоточутливість 0.52 А/Вт Макс. темновий струм 2000 пА Частота зрізу 25 МГц Термінальна ємність 3 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії