Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S5627-01 фотодіод Si, 1.3 × 1.3mm, 320 - 840nm
Артикул:
S5627-01
1.3 × 1.3 мм, 320-840 нм, 0.3 А/Вт, S5627-01 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S5627-01
Si photodiode
Кремнієвий фотодіод в пластиковому корпусі, видимий діапазонХарактеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 840 нм Корпус / Виконання пластик Пік спектрального діапазону, нм 540 нм Розмір фоточутливої поверхні 1.3 × 1.3 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.3 А/Вт Макс. темновий струм 50 пА Типовий час наростання 2 мкс Термінальна ємність 700 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії