Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S5106 фотодіод Si PIN, 5 × 5mm, 320 - 1100nm
Артикул:
S5106
5 × 5 мм, 320 - 1100 нм, 0.72 А/Вт, S5106 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S5106
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод поверхневого монтажу, підходить для паяння оплавленням припою. Фотодіод має велику світлочутливу поверхню, що робить його придатним для просторової передачі світла, де потрібен широкий кут огляду також використовується в приладах для вимірювання потужності та аналітичному обладнанні.
Особливості:
- Фоточутлива поверхня: 5 × 5 мм
- Для поверхневого монтажу
- Висока чутливість
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 5 × 5 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 30 В Типова фоточутливість 0.72 А/Вт Макс. темновий струм 5000 пА Частота зрізу 20 МГц Термінальна ємність 40 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії