Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S3994-01 фотодіод Si PIN, 10 × 10mm, 320 - 1100nm
Артикул:
S3994-01
10 × 10 мм, 320 - 1100 нм, 0.65 А/Вт, S3994-01 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S3994-01
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод для оптичних вимірювачів потужності
Особливості:
- Плаский корпус:1.4 мм
- Висока чутливість: 0,25 A / Вт тип. (λ = 400 нм)
- Велика фоточутлива поверхня: 10 × 10 мм
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 10 × 10 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 50 В Типова фоточутливість 0.65 А/Вт Макс. темновий струм 10000 пА Частота зрізу 20 МГц Термінальна ємність 40 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії