Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S3590-08 фотодіод Si PIN, 10 × 10mm, 340 - 1100nm, high-speed response
Артикул:
S3590-08
Спектральний діапазон: 340 до 1100 нм,
фоточутливість - 0.66 A/Вт, розмір - 10 × 10 мм
фоточутливість - 0.66 A/Вт, розмір - 10 × 10 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S3590-08
Si PIN photodiode
Особливості:
- Низька ємність
- Швидкий відгук
- Висока стабільність
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 340 нм Спектральній діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 10 × 10 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 100 В Типова фоточутливість 0.66 А/Вт Макс. темновий струм 6000 пА Частота зрізу 40 МГц Термінальна ємність 40 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії