Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S3588-08 фотодіод Si PIN, 30 × 3mm, 340 - 1100nm
Артикул:
S3588-08
30 × 3 мм, 340 - 1100нм, 0.66 А/Вт, S3588-08 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S3588-08
Si PIN photodiode
Особливості:
- Відповідність чутливості до сцинтиляторів BGO та CsI (TI)
- Велика фоточутлива поверхня
- Низька ємність
- Високошвидкісний відгук
- Висока стабільність
- Висока енергетична роздільна здатність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 340 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 30 × 3 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 100 В Типова фоточутливість 0.66 А/Вт Макс. темновий струм 10000 пA Частота зрізу 40 МГц Термінальна ємність 40 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії