Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu S3584-08 фотодіод Si PIN, 28 × 28mm, 340 - 1100nm
Артикул:
S3584-08
28 × 28 мм, 340 - 1100нм, 0.66 А/Вт, S3584-08 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S3584-08
Si PIN photodiode
Особливості:
- Відповідність чутливості до сцинтиляторів BGO та CsI (TI)
- Низька ємність
- Високошвидкісний відгук
- Висока стабільність
- Висока енергетична роздільна здатність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 340 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 28 × 28 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 100 В Типова фоточутливість 0.66 А/Вт Макс. темновий струм 30000 пA Частота зрізу 10 МГц Термінальна ємність 300 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії