Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S3071 фотодіод Si PIN, Ø5 mm, 320 - 1060nm, TO-8
Артикул:
S3071
Ø5 мм, 320 - 1060нм, 0.54 А/Вт, S3071 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S3071
Si PIN photodiode
Велика фоточутлива поверхня, високошвидкісний Si PIN фотодіод
Особливості
- Розмір фоточутливої поверхні: Ø5 мм
- Частота зрізу: 40 МГц (VR = 24 В)
- Висока надійність: TO-8 корпус
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1060 нм Корпус / Виконання TO-8 Пік спектрального діапазону, нм 920 нм Розмір фоточутливої поверхні Ø5 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 50 В Типова фоточутливість 0.54 А/Вт Макс. темновий струм 10000 пA Частота зрізу 40 МГц Термінальна ємність 18 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії