Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S2387-1010R фотодіод Si, 10 × 10 mm, 340 - 1100nm
Артикул:
S2387-1010R
10 × 10 мм, 340-1100 нм, 0.58 А/Вт, S2387-1010R Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S2387-1010R
Si photodiode
Спектральний діапазон від видимого до ближнього інфрачервоного, для загальної фотометрії.
Особливості:
- Висока чутливість у видимому та ближньому інфрачервоному діапазонах
- Низький темновий струм
- Висока лінійність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 340 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 10 × 10 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 30 В Типова фоточутливість 0.58 А/Вт Макс. темновий струм 200 пА Типовий час наростання 33 мкс Термінальна ємність 12000 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії