Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S2384 фотодіод Si APD, Ø3mm, 400 - 1000nm, TO-5
Артикул:
S2384
Спектральний діапазон - 400 до 1000 нм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 3 мм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 3 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий лавинний фотодіод (Si APD) Hamamatsu S2384
Si APD photodiode, avalanche photodiode, лавинный фотодиод
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 400 нм Спектральний діапазон макс. нм 1000 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 800 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅3 мм Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 10 нА Частота зрізу 120 МГц Термінальна ємність 40 пФ Типова пробивна напруга 150 В Температурний коефіцієнт пробивної напруги (тип) 0.65 В/℃ Типове підсилення 60 -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії