Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S1787-08 фотодіод Si, 2.8 × 2.4mm, 320 - 1100nm
Артикул:
S1787-08
2.8 × 2.4 мм, 320-1100 нм, 0.58 А/Вт, S1787-08 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1787-08
Si photodiode
Серія фотодіодів S1787 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання пластик Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.8 × 2.4 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.58 А/Вт Макс. темновий струм 10 пА Типовий час наростання 2.5 мкс Термінальна ємність 700 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії