Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
15 Травня 2024
Нове покоління камер AF-Zoom від Active Silicon
9 Травня 2024
Нова інтеграційна сфера QYPro від Edinburgh Instruments
Hamamatsu S1787-04 фотодіод Si, 2.8 × 2.4mm, 320 - 730nm, low dark current
Спектральний діапазон:320 до 730 нм,
фоточутливість - 0.3 A/Вт, розмір - 2.8 × 2.4 мм
фоточутливість - 0.3 A/Вт, розмір - 2.8 × 2.4 мм
Детальніше
206 грн. З ПДВ
Є в наявності (8)
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1787-04
Si photodiode
Серія фотодіодів S1787-04 в пластиковому корпусі з низьким темновим струмом, забезпечують надійні оптичні вимірювання
в видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні, в широкому динамічному діапазоні від низького рівня освітлення до високого.
Характеристики
Матеріал / Тип Si Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 730 нм Корпус / Виконання пластик Пік спектрального діапазону, нм 560 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.8 × 2.4 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.3 А/Вт Макс. темновий струм 10 пА Типовий час наростання 2.5 мкс Термінальна ємність 700 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії