Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
20 Жовтня 2020
21 жовтня ДЕНЬ ФОТОНІКИ
25 Вересня 2020
Імунохроматографічний зчитувач Hamamatsu
18 Червня 2020
Підбірка новин Hamamatsu News 2020 Vol. 1
Hamamatsu S14645-02 фотодіод Si APD, Ø0.2mm, 400 - 1100nm
Артикул:
S14645-02
Спектральний діапазон - 400 до 1100 нм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.2 мм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.2 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий лавинний фотодіод (Si APD) Hamamatsu S14645-02Si APD photodiode, avalanche photodiode, лавинный фотодиод
Високошвидкісний компактний кремнієвий лавинний фотодіод з піком чутливості в полосі 900 нм з низькою напругою пробою.
Цей фотодіод придатний для детектування випромінювання в смузі 900 нм, яка все частіше використовується в оптичних далекомірах.
S14645-02 має такі ж розміри, як і попередній продукт (серія S12926), але відрізняється меншими відхиленнями в напрузі пробою (175 ± 20 В), меншим темновим струмом і вищою температурою експлуатації.
Особливості
- Мініатюрний розмір: 3.1 × 1.8 × 1.0 мм
- Пік спектрального діапазону: 840 нм (М = 100)
- Макс. напруга пробою 195 В
- Високошвидкісний відгук: частота зрізу 600 МГц тип. (λ = 900 нм, M = 100)
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 400 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання SMT Пік спектрального діапазону, нм 840 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅0.2 мм Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 0.4 нА Частота зрізу 600 МГц Термінальна ємність 0.5 пФ Типова пробивна напруга 175 В Температурний коефіцієнт пробивної напруги (тип) 1.1 В/℃ Типове підсилення 100 -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії