Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
1 Вересня 2021
Нова лінійка об’єктивів для машинного зору MA23F від Tamron
3 Серпня 2021
Селток Фотонікс прийме участь у виставці LABCompIEX 2021
29 Березня 2021
Новий додаток ColorWiz Color Analysis для Android і iPhone
Hamamatsu S14644-02 фотодіод Si APD, Ø0.2mm, 400 - 1000nm
Артикул:
S14644-02
Спектральний діапазон - 400 до 1000 нм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.2 мм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.2 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий лавинний фотодіод (Si APD) Hamamatsu S14644-02Si APD photodiode, avalanche photodiode, лавинный фотодиод
Високошвидкісний компактний кремнієвий лавинний фотодіод з піком чутливості в полосі 800 нм з низькою напругою пробою.
Цей фотодіод придатний для детектування випромінювання в смузі 800 нм, яка все частіше використовується в оптичних далекомірах.
S14644-02 має такі ж розміри, як і попередній продукт (серія S10341), але відрізняється меншими відхиленнями в напрузі пробою (160 ± 20 В), меншим темновим струмом і вищою температурою експлуатації.
Особливості
- Мініатюрний розмір: 3.1 × 1.8 × 1.0 мм
- Пік спектрального діапазону: 800 нм (М = 100)
- Макс. напруга пробою 180 В
- Високошвидкісний відгук: частота зрізу 1,2 ГГц тип. (λ = 800 нм, M = 100)
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 400 нм Спектральний діапазон макс. нм 1000 нм Корпус / Виконання пластик Пік спектрального діапазону, нм 800 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅0.2 мм Типова фоточутливість 0.52 А/Вт Макс. темновий струм 0.3 нА Частота зрізу 1200 МГц Термінальна ємність 0.6 пФ Типова пробивна напруга 160 В Температурний коефіцієнт пробивної напруги (тип) 0.63 В/℃ Типове підсилення 100 -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії