Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu S1337-33BQ фотодіод Si, 2.4 × 2.4 mm, 190 - 1100nm
Артикул:
S1337-33BQ
2.4 × 2.4 мм, 190-1100 нм, 0.5 А/Вт, S1337-33BQ Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1337-33BQ
Si photodiode
Спектральний діапазон від ультрафіолетового до ближнього інфрачервоного, для точної фотометрії.
Особливості:
- Висока чутливість в УФ діапазоні: QE 75% (λ=200 nm)
- Низька ємність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 190 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.4 × 2.4 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 5 В Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 30 пА Типовий час наростання 0.2 мкс Термінальна ємність 65 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії