Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S1337-1010BQ фотодіод Si, 10 × 10mm, 190 - 1100nm, high UV sensitivity
Артикул:
S1337-1010BQ
Спектральний діапазон: 190 до 1100 нм,
фоточутливість - 0.5 A/Вт, розмір - 10 × 10 мм
фоточутливість - 0.5 A/Вт, розмір - 10 × 10 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1337-1010BQ
Si photodiode
Спектральний діапазон від ультрафіолетового до інфрачевоного, для точної фотометрії.
Особливості:
- Висока чутливість в УФ діапазоні: QE 75% (λ=200 нм)
- Низька ємність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 190 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 10 × 10 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 5 В Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 200 пА Типовий час наростання 3 мкс Термінальна ємність 1100 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії