Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
3 Квітня 2023
Нова світлодіодна УФ-піч від UWAVE
28 Березня 2023
Нові потужні УФ-LED джерела світла для полімеризації від UWAVE
Hamamatsu S1336-44BK фотодіод Si, 3.6 × 3.6mm, 320 - 1100nm, TO-5
Артикул:
S1336-44BK
3.6 × 3.6 мм, 320-1100 нм, 0.5 А/Вт, TO-5, S1336-44BK Хамамацу
Детальніше
Є в наявності (4)
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1336-44BK
Si photodiode
Спектральний діапазон від ультрафіолетового до ближнього інфрачервоного, для точної фотометрії.
Особливості:
- Висока чутливість в УФ діапазоні
- Низька ємність
- Висока надійність
Характеристики
Матеріал / Тип Si Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) 3.1 мм - 5 мм Розмір фоточутливої поверхні 3.6 × 3.6 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 5 В Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 50 пА Типовий час наростання 0.5 мкс Термінальна ємність 150 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії